Альперович Виталий Львович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перенос фотоэлектронов через границу $p$-GaAs(Cs, O)–вакуум с положительным и отрицательным электронным сродством
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  227–232
2. Перенос электронов через границу полупроводник-вакуум с отрицательным и положительным электронным сродством: влияние скачка массы
   
   Физика твердого тела, 65:8 (2023),  1271–1280
3. Фотоэдс на поверхности сильнолегированного $p^+$-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода
   
   Письма в ЖТФ, 49:21 (2023),  24–28
4. Пленение излучения и субзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии из $p$-GaAs(Cs,O)
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  23–26
5. Максимум в спектре терагерцового фотоотклика квантового точечного контакта
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:2 (2022),  116–122
6. Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  514
7. Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:10 (2017),  645–650
8. Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия
   
   Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013),  513–517
9. Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия
   
   Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010),  351–356
10. Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  702–706
11. Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:1 (2008),  41–44
12. Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006),  525–529
13. Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004),  163–167
14. Релаксация импульса фотоэлектронов на поверхности GaAs в эффекте магнитоиндуцированной поляризационно-зависимой фотопроводимости
    
    Физика твердого тела, 32:7 (1990),  2152–2154
15. Поляризационная зависимость экситонной фотоэдс на границе арсенид галлия$-$металл
    
    Физика твердого тела, 32:3 (1990),  950–952
16. Баллистический фотогальванический эффект на межзонных переходах в арсениде галлия
    
    Физика твердого тела, 30:10 (1988),  3111–3117
17. Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия–металл. Проявление в спектрах фотоэдс
    
    Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3532–3536
18. Механизмы влияния магнитного поля на баллистические фототоки
    
    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2780–2782