Терещенко Олег Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Нелинейный коэффициент Холла в пленках трехмерного топологического изолятора
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:3 (2024),  208–213
2. Электронная структура янусовских слоев на основе Ti$_{1-y}$Cr$_y$(Se$_{1-x}$S$_x$)$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  365–369
3. Электронные свойства топологического изолятора Sb$_2$Te$_2$Se
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  192–195
4. Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO$_2$
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  7–10
5. Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001)
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  6–9
6. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
7. Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  793–800
8. Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:5 (2022),  315–321
9. Оптимизация буферного диэлектрического слоя для создания малодефектных эпитаксиальных пленок топологического изолятора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te c $x\ge$ 0.4
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  642–645
10. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
11. Спектр оптических фононов монокристалла Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
    
    Письма в ЖЭТФ, 113:10 (2021),  683–688
12. Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  748–753
13. Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb$_{0.7}$Sn$_{0.3}$Te на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  625–628
14. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
15. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  896–901
16. Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  859–864
17. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  796–800
18. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1795–1799
19. Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1303–1308
20. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
21. Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Письма в ЖТФ, 44:5 (2018),  10–15
22. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
23. Поверхностные спин-поляризованные токи, генерируемые в топологических изоляторах циркулярно-поляризованным синхротронным излучением, и их индикация методом фотоэлектронной спектроскопии
    
    Физика твердого тела, 58:8 (2016),  1617–1628
24. Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  754–762
25. Роль анизотропии и спин-орбитального взаимодействия в оптических и диэлектрических свойствах соединений BiTeI и BiTeCl
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015),  563–568
26. Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  322–326
27. Динамика решетки BiTeI при высоких давлениях
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:9 (2013),  626–630
28. Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  532–537
29. Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO$_2$/Si(100)
    
    ЖТФ, 82:9 (2012),  44–48
30. Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  569–575
31. Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  53–59
32. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
    
    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  27–36
33. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011),  500–503
34. Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  647–652
35. Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  23–31
36. Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)
    
    Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  511–516
37. Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:4 (2009),  209–214
38. Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)
    
    Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008),  597–600
39. Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:1 (2008),  41–44
40. Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004),  592–596
41. Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004),  163–167