Леденцов Николай Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
2. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
3. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
4. Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
   
   Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  85–94
5. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
6. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания
   
   Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  59–66
7. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
8. Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  81–87
9. Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
   
   Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1542–1553
10. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
11. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
12. Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  10–16
13. Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  992–995
14. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
15. Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  688–693
16. Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  560–565
17. Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры
    
    УФН, 181:8 (2011),  884–890
18. Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1352–1356
19. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
20. Оптическая анизотропия InAs квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  24–30
21. Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  211–216
22. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
    
    УФН, 171:8 (2001),  857–858
23. Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками
    
    УФН, 171:8 (2001),  855–857
24. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
    
    УФН, 169:4 (1999),  459–464
25. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур
    
    УФН, 167:5 (1997),  552–555
26. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах
    
    УФН, 166:4 (1996),  423–428
27. Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками
    
    УФН, 165:2 (1995),  224–225
28. Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722
29. Выращивание соединений в системе Yb$-$Ba$-$Cu$-$O с использованием молекулярного пучка BaO
    
    ЖТФ, 61:8 (1991),  106–114
30. Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1691–1693
31. Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719
32. Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363
33. (In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  359–361
34. (Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203
35. Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158
36. Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы в одиночных селективно-легированных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  90–95
37. Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807
38. Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356
39. Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565
40. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ
    
    ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147
41. Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721
42. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274


43. Жорес Иванович Алферов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 180:3 (2010),  333–334
44. Жорес Иванович Алферов (к 70-летию со дня рождения)
    
    УФН, 170:3 (2000),  349–350