RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Михайлова М П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb для спектрального диапазона 3$-$5 мкм

    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  50–53
  2. Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1429–1436
  3. Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  298–306
  4. Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  276–282
  5. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1397–1406
  6. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2$-$3.5 мкм

    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  27–32
  7. Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения и умножения для области спектра 1.6$-$2.4 мкм

    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  71–76
  8. Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм

    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19
  9. Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения и умножения на основе GaInAsSb/GaAlAsSb

    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  986–991
  10. Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb

    Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393
  11. Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  481–485
  12. Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1311–1315
  13. Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611
  14. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных твердых растворах на основе InAs

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  545–547
  15. Ударная ионизация дырками в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  875–880
  16. Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  569–582
  17. Ударная ионизация электронами в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  46–51
  18. Движение поршня в теплопроводной и вязкой среде

    Докл. АН СССР, 169:1 (1966),  55–57
  19. О дифференциальных неравенствах для уравнений с запаздывающим аргументом

    Дифференц. уравнения, 1:9 (1965),  1183–1189
  20. Движение газа за несимметричным поршнем

    Докл. АН СССР, 148:1 (1963),  61–63
  21. Движение поршня с постоянной скоростью в неоднородной среде

    Докл. АН СССР, 141:4 (1961),  826–828
  22. Ударные волны в воде

    Тр. МИАН СССР, дополнительный (1950),  53–67

© МИАН, 2026