RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Копьев Петр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости

    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
  2. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями

    Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
  3. Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой

    Квантовая электроника, 52:4 (2022),  340–342
  4. Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм

    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173
  5. Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции

    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  344–348
  6. Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки

    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  42–45
  7. Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132
  8. Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288
  9. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
  10. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
  11. Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ

    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  147–152
  12. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
  13. Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1484–1488
  14. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  342–348
  15. Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  254–260
  16. Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715
  17. Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  352–357
  18. Фотонные кристаллы и брэгговские решетки для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1595–1598
  19. Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1082–1086
  20. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
  21. Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III–N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  96–102
  22. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385
  23. Экситоны в одиночных и двойных гетеровалентных квантовых ямах GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn(Cd)MnSe

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  213–219
  24. Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N

    УФН, 179:9 (2009),  1007–1012
  25. Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов

    Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004),  674–679
  26. Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур

    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  909–911
  27. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262
  28. Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода

    Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466
  29. Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А2В6

    УФН, 169:4 (1999),  468–471
  30. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

    УФН, 169:4 (1999),  459–464
  31. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур

    УФН, 167:5 (1997),  552–555
  32. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах

    УФН, 166:4 (1996),  423–428
  33. Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками

    УФН, 165:2 (1995),  224–225
  34. Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722
  35. Выращивание соединений в системе Yb$-$Ba$-$Cu$-$O с использованием молекулярного пучка BaO

    ЖТФ, 61:8 (1991),  106–114
  36. Исследование взаимного теплового влияния элементов лазерной линейки, работающей в квазинепрерывном режиме

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1361–1365
  37. Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1691–1693
  38. Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния

    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1200–1208
  39. Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов

    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719
  40. Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363
  41. (In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  359–361
  42. (Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203
  43. Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158
  44. Эффект распада фотоиндуцированной электронно-дырочной плазмы в одиночных селективно-легированных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  90–95
  45. Влияние водорода на оптические и транспортные свойства эпитаксиальных слоев AlGaAs : Si

    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  1–5
  46. Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2133–2137
  47. Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1564–1567
  48. Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1382–1385
  49. Спектр поглощения структур с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1316–1318
  50. О «нулевых осцилляциях» в структурах с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1110–1113
  51. Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848
  52. Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием

    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71
  53. Энергетический спектр кулоновских состояний в квантовой яме

    УФН, 157:3 (1989),  545–547
  54. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1729–1742
  55. Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  784–788
  56. Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  597–603
  57. Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы

    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  424–432
  58. Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом

    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807
  59. Воздействие акустических фононных импульсов на примесную люминесценцию полупроводниковых структур с квантовыми ямами

    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1843–1847
  60. Внутрибарьерное рекомбинационное излучение многослойных структур GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1184–1189
  61. Собственная люминесценция резкого гетероперехода GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  353–356
  62. Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой

    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565
  63. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147
  64. Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203
  65. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274
  66. Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  751–754
  67. Волоконно-оптическая линия передачи сигналов для систем дальней связи на длине волны 1,3 мкм

    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2486–2488

  68. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения

    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894
  69. Памяти Жореса Ивановича Алферова

    УФН, 189:8 (2019),  899–900
  70. Жорес Иванович Алферов (к 70-летию со дня рождения)

    УФН, 170:3 (2000),  349–350

© МИАН, 2026