Торопов Алексей Акимович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной $p{-}n{-}p$ гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  386–392
2. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
3. Метаморфные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs для генерации одиночных фотонов в спектральном С-диапазоне
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:1 (2025),  37–43
4. Молекулярно-пучковая эпитаксия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в телекоммуникационном диапазоне длин волн
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:9 (2024),  694–700
5. Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  11–14
6. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
7. 2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  507–513
8. Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021),  248–255
9. Фурье-ограниченная ширина линий оптических переходов одиночных SiV-центров в “адамантановых” наноалмазах
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:1 (2020),  17–21
10. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
11. Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe
    
    Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1575–1579
12. Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  687–690
13. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
14. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
15. Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  480
16. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
17. Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  94–102
18. Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2180–2185
19. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
20. Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  64–71
21. Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1024–1030
22. Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  364–369
23. Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  254–260
24. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43
25. Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35
26. Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1022–1026
27. Экситонный спектр квантовых ям ZnO/ZnMgO
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  783–787
28. Экситоны в одиночных и двойных гетеровалентных квантовых ямах GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn(Cd)MnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  213–219
29. Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  205–209
30. Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N
    
    УФН, 179:9 (2009),  1007–1012
31. Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А²В⁶
    
    УФН, 169:4 (1999),  468–471
32. Квазидвумерное поведение диамагнитных экситонов в кристаллах GaSe
    
    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3308–3311