RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Иванов Сергей Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Импульсные характеристики однопереходных и трёхпереходных фотопреобразователей лазерного излучения

    Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1145–1149
  2. Генерация СВЧ-импульсов монолитными трехпереходными AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ фотопреобразователями и модулями без обратного смещения

    Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  27–30
  3. Влияние конструкции и условий роста метаморфных гетероструктур In(Ga,Al)As/GaAs на электрофизические параметры двумерного канала In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/InAlAs

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  142–148
  4. Монолитный трехпереходный $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотопреобразователь лазерного излучения

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  35–38
  5. Снижение плотности дислокаций в метаморфных гетероструктурах путем оптимизации конструкции буферного слоя с нелинейным профилем изменением состава

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  153–159
  6. Распределение дислокаций несоответствия и упругих механических напряжений в метаморфных буферных слоях InAlAs разной конструкции

    Физика твердого тела, 63:1 (2021),  85–90
  7. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах

    Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746
  8. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
  9. Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки

    Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  297–302
  10. Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs

    Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  381–386
  11. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона

    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
  12. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
  13. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
  14. Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  535–539
  15. Ферстеровский резонансный перенос энергии с участием светлых и темных экситонов в массивах эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe

    Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1575–1579
  16. Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs

    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  687–690
  17. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой

    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
  18. Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667
  19. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
  20. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
  21. Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  480
  22. Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132
  23. Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs

    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41
  24. Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  94–102
  25. Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  42–49
  26. Интерференционное усиление конверсии поляризации света от структур с квантовой ямой

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2148–2153
  27. Проявление $PT$-симметрии в экситонных спектрах квантовых ям

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1605–1609
  28. Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  67–74
  29. Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III–N методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 43:5 (2017),  60–67
  30. Фотоотражение антимонида индия

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313
  31. Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2180–2185
  32. Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179
  33. Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe

    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  108–113
  34. Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  64–71
  35. Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне

    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  33–39
  36. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером

    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
  37. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
  38. Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  61–69
  39. Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1484–1488
  40. Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1024–1030
  41. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN

    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482
  42. Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  364–369
  43. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  342–348
  44. Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  254–260
  45. Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  82–88
  46. Рентгенодифракционное определение степени упорядочения твердого раствора в эпитаксиальных слоях AlGaN

    Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2308–2310
  47. Магнито-оптические исследования ансамблей полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe с модулированным легированием $n$-типа

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1632–1639
  48. Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  352–357
  49. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43
  50. Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35
  51. Структурное состояние эпитаксиальных слоев ZnO из измерений интегральной интенсивности трехволновых и двухволновых рефлексов

    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  22–28
  52. Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1441–1445
  53. Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  710–716
  54. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb из спектров отражения

    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  258–263
  55. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
  56. Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа

    Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1057–1061
  57. Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1022–1026
  58. Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III–N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  96–102
  59. Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300–330 nm

    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  88–95
  60. Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1481–1485
  61. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385
  62. Экситонный спектр квантовых ям ZnO/ZnMgO

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  783–787
  63. Отношение дырочного и электронного обменных интегралов в полумагнитной структуре с квантовыми точками CdMnSe/ZnSe

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  220–225
  64. Экситоны в одиночных и двойных гетеровалентных квантовых ямах GaAs/AlGaAs/ZnSe/Zn(Cd)MnSe

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  213–219
  65. Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1098–1103
  66. Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  699–705
  67. Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  265–269
  68. Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  205–209
  69. Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N

    УФН, 179:9 (2009),  1007–1012
  70. Магнитооптика гетероструктур (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны

    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  922–926
  71. Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality

    Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008),  724–728
  72. Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1097–1100
  73. Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов

    Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004),  674–679
  74. Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур

    Квантовая электроника, 34:10 (2004),  909–911
  75. Observation of a light-induced nonohmic current in a toroidal-moment-possessive nanostructure

    Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002),  547–549
  76. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле

    Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002),  258–262
  77. Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода

    Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466
  78. Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А2В6

    УФН, 169:4 (1999),  468–471
  79. Моделирование генерационных характеристик и распространение излучения СО-лазерa с селектирующей ячейкой

    Квантовая электроника, 23:6 (1996),  521–526
  80. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах

    УФН, 166:4 (1996),  423–428
  81. Инфракрасная и микроволновая спектроскопия озона: исторический аспект

    УФН, 164:7 (1994),  725–742
  82. Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722
  83. Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов

    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  717–719
  84. Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363
  85. (In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  359–361
  86. (Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  201–203
  87. Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  152–158
  88. Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1564–1567
  89. Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным $\delta$-легированием

    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  68–71
  90. Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  784–788
  91. Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах ($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$, $T=300$ K) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом

    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1803–1807
  92. Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой

    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  562–565
  93. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    ЖТФ, 55:1 (1985),  142–147
  94. Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203
  95. Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  715–721
  96. Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  270–274

  97. Памяти Виктора Михайловича Устинова

    Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  3–4
  98. Памяти Роберта Арнольдовича Суриса

    УФН, 194:6 (2024),  677–678
  99. Памяти Вадима Львовича Гуревича

    УФН, 192:2 (2022),  229–230
  100. Николай Николаевич Розанов (к 80-летию со дня рождения)

    УФН, 191:4 (2021),  445–446
  101. Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)

    УФН, 190:12 (2020),  1343–1344
  102. Памяти Вадима Васильевича Афросимова

    УФН, 189:8 (2019),  901–902
  103. Памяти Жореса Ивановича Алферова

    УФН, 189:8 (2019),  899–900
  104. Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2058–2066
  105. Моделирование генерационных характеристик и распространение излучения СО-лазера с селектирующей ячейкой («Квантовая электроника», т.23, №6, 1996, с.521–526)

    Квантовая электроника, 23:11 (1996),  1056

© МИАН, 2026