Новиков Алексей Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях $n$-InGa
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:8 (2025),  688–695
2. Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
   
   ЖТФ, 95:1 (2025),  128–135
3. Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  614–619
4. Фотоиндуцированная перенормировка запрещенной зоны в вырожденных узкозонных эпитаксиальных пленках $n$-InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  563–570
5. Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225
6. Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации
   
   Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  371–377
7. Нагрев и испарение двумерной электронно-дырочной жидкости под действием тепловых импульсов
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:3 (2017),  164–169
8. Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  229–234
9. Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016),  161–166
10. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011),  63–67
11. Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010),  341–345
12. О проблеме окаймления из теории дифференцирования интегралов
    
    Изв. РАН. Сер. матем., 66:4 (2002),  3–26
13. Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429
14. Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si_1–xGe_x и Si_1–x–yGe_xC_y
    
    УФН, 170:3 (2000),  338–341