Черкашин Николай Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероструктуры с двумерным электронным газом на основе GaN с InAlN/AlGaN-барьером
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  582–585
2. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
3. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
4. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
5. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
6. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
7. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
8. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1357–1362
9. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
10. Особенности глубинных профилей распределения имплантированных ионов кобальта в рутиле TiO$_2$
    
    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  508–517
11. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
12. Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  955–961
13. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863
14. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
15. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
16. Ферромагнетизм и две магнитные фазы в рутиле (TiO$_2$), имплантированном ионами кобальта
    
    Учён. зап. Казан. гос. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 149:3 (2007),  31–41