Соловьев Виктор Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние конструкции и условий роста метаморфных гетероструктур In(Ga,Al)As/GaAs на электрофизические параметры двумерного канала In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  142–148
2. Снижение плотности дислокаций в метаморфных гетероструктурах путем оптимизации конструкции буферного слоя с нелинейным профилем изменением состава
   
   Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  153–159
3. Терагерцевая генерация в эпитаксиальных пленках InAs
   
   Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  51–54
4. Распределение дислокаций несоответствия и упругих механических напряжений в метаморфных буферных слоях InAlAs разной конструкции
   
   Физика твердого тела, 63:1 (2021),  85–90
5. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
   
   Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746
6. Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  297–302
7. Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  381–386
8. Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132
9. Фотоотражение антимонида индия
   
   Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313
10. Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  33–39
11. Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  352–357
12. Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1481–1485
13. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385
14. Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1098–1103
15. Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  699–705
16. Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  205–209
17. Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466
18. О точности некоторых теорем о рядах и преобразованиях Фурье
    
    Зап. научн. сем. ЛОМИ, 159 (1987),  121–127
19. Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1049–1054
20. О некоторых свойствах пополнения нормированных структур
    
    Изв. вузов. Матем., 1967, № 7,  89–99