Акчурин Рауф Хамзинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость параметра решетки порошков Cu$_{2-x}$Se (0.03 $\le x\le$ 0.23), полученных методом механохимического синтеза
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2255–2259
2. Структура соединения Сu$_{2}$Se, полученного различными методами
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  904–907
3. Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  66–71
4. Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии
   
   ЖТФ, 84:1 (2014),  79–85
5. Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 36:15 (2010),  82–88
6. Исследование возможности формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  10–16
7. Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
   
   Матем. моделирование, 21:5 (2009),  114–126
8. Расчетная оценка температуры Дебая и температурной зависимости теплоемкости нитридов алюминия, галлия и индия
   
   ТВТ, 36:5 (1998),  839–842
9. Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев $\text{GaSb}\langle\text{Bi}\rangle$ и $\text{GaSb}\langle\text{Bi,Sn}\rangle$, полученных из висмутовых растворов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1409–1414
10. Фотолюминесценция InP, легированного висмутом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1258–1261