RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Тарасов Илья Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
  2. Поляризационные эффекты в гетеролазерах In$_{28}$Ga$_{72}$As/GaAs на квантовой яме

    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1684–1690
  3. Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах

    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  998–1003
  4. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
  5. Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm

    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37
  6. Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110–120 K)

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1414–1419
  7. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
  8. Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294
  9. К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1247–1252
  10. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
  11. Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле

    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  834–838
  12. Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  679–682
  13. Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры

    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  777–781
  14. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1574–1577
  15. Сравнительный анализ влияния электронного и дырочного захвата на мощностные характеристики полупроводникового лазера

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1553–1557
  16. Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1429–1433
  17. Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1108–1114
  18. Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1043–1049
  19. Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  936–941
  20. Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  8–15
  21. Подавление процесса делокализации носителей заряда в мощных импульсных полупроводниковых лазерах

    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  10–16
  22. Поверхностные интегрированные дифракционные решетки высших порядков для полупроводниковых лазеров

    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1091–1097
  23. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)

    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
  24. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера

    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
  25. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров

    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
  26. Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569
  27. К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1377–1382
  28. Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131
  29. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
  30. Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715
  31. Анализ излучательной эффективности мощных полупроводниковых лазеров при выполнении пороговых условий генерации для замкнутой моды

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  705–709
  32. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  388–391
  33. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации

    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996
  34. Спектральные характеристики многомодовых полупроводниковых лазеров с поверхностной дифракционной решеткой высших порядков

    Квантовая электроника, 44:10 (2014),  907–911
  35. Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок

    Квантовая электроника, 44:9 (2014),  801–805
  36. Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1082–1086
  37. Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1078–1081
  38. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
  39. Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме

    Письма в ЖТФ, 39:8 (2013),  9–16
  40. Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  428–432
  41. Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1344–1348
  42. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1339–1343
  43. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
  44. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233
  45. Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1067–1073
  46. Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750
  47. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
  48. Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257
  49. Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1553–1559
  50. Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1489–1497
  51. Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1431–1438
  52. Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1417–1421
  53. Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1274–1278
  54. Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  682–687
  55. Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри–Перо

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  672–676
  56. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534
  57. Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  488–499
  58. InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1640–1644
  59. Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1417–1421
  60. Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1411–1416
  61. Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1140–1146
  62. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
  63. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821
  64. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693
  65. Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  256–259
  66. Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  251–255
  67. Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  246–250
  68. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  194–199
  69. Особенности синхронизации мод в лазерах с квантовой ямой в широком волноводном слое

    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  29–36
  70. Гигантские обратимые деформации композитного материала с эффектом памяти формы

    Письма в ЖТФ, 36:7 (2010),  75–81
  71. Исследование пространственно-инвариантных пучков, полученных от полупроводниковых лазеров с широким полоском с торцевым выводом излучения

    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  22–30
  72. Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения

    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  661–681
  73. Перестройка частоты генерации гетеролазера под влиянием ультразвуковых волн

    Письма в ЖЭТФ, 78:2 (2003),  77–81
  74. Полупроводниковый источник пикосекундных импульсов на длине волны 1.55 мкм

    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  23–27
  75. Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418
  76. Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм)

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  928–933
  77. Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21
  78. Источник пикосекундных импульсов на основе полупроводникового лазера с волоконным резонатором

    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  14–17
  79. Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

    Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286
  80. Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона ($\lambda=1.3$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  35–41
  81. Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54
  82. Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  14–16
  83. Оптическая реверсивная побитовая запись информации на пленках VO$_{2}$

    ЖТФ, 59:10 (1989),  174–177
  84. Формирование высокочастотной последовательности пикосекундных оптических импульсов на длине волны 1.32 мкм

    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  64–68
  85. Источник пикосекундных импульсов для высокоскоростной солитонной системы передачи информации

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  25–29
  86. Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132
  87. Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120
  88. Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246
  89. Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)

    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104
  90. Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения

    ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824
  91. Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829
  92. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557
  93. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
  94. Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности

    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663
  95. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
  96. Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия

    ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876
  97. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
  98. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423
  99. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  456–459
  100. Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349
  101. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162
  102. Об одном обобщении интерполяционного алгебраического многочлена на случай многих переменных

    Изв. вузов. Матем., 1984, № 2,  54–55
  103. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (${\lambda=1.55}$ мкм)

    ЖТФ, 54:10 (1984),  2047–2050
  104. Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040
  105. Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416
  106. Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038
  107. Низкопороговые мезаполосковые JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  961–964
  108. Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода

    ЖТФ, 53:10 (1983),  1973–1978
  109. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414
  110. Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  997–1002
  111. Многоканальная дуплексная волоконно-оптическая линия связи на длине волны ~ 1,3 мкм

    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1698–1700
  112. Задача обращения матрицы Вронского

    Изв. вузов. Матем., 1981, № 8,  80–82
  113. Макет волоконно-оптической линии связи со спектральным уплотнением в области 1,3 мкм

    Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2487–2490
  114. Индуктивная теория некоммутативных определителей

    Изв. вузов. Матем., 1964, № 4,  152–161
  115. Теория несобственных гиперполос в центроаффинном пространстве

    Изв. вузов. Матем., 1959, № 4,  161–167

  116. Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2054–2057
  117. Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049

© МИАН, 2026