Каминский Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моноклинный LaBWO₆ – новый комбинационно-активный кристалл
   
   Квантовая электроника, 49:4 (2019),  377–379
2. Генерационные характеристики новых лазерных керамик отечественного производства
   
   Квантовая электроника, 48:9 (2018),  802–806
3. Моноизотопные $^{12}\mathrm{C}$- и $^{13}\mathrm{C}$-алмазы — новейшие ВКР-активные кристаллы, как новый этап в развитии алмазной фотоники (diamond photonics)
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  356–361
4. Фононная спектроскопия структуры оксидных кристаллокерамик
   
   Квантовая электроника, 43:3 (2013),  282–287
5. Получение нанопорошков Re₂O₃ (Re = Y, La, Yb, Nd) со сферическими частицами и лазерных керамик на их основе
   
   Квантовая электроника, 43:3 (2013),  271–275
6. Особенности структуры диэлектрических лазерных оксидных керамик
   
   Квантовая электроника, 42:10 (2012),  880–886
7. Новые нелинейно-лазерные эффекты в $\alpha$-кварце: генерация двухоктавной гребенки стоксовых и антистоксовых частот и каскадный лазинг в спектральной области второй и третьей гармоник
   
   УФН, 178:9 (2008),  935–946
8. Observation of stimulated Raman scattering in CVD-diamond
   
   Письма в ЖЭТФ, 80:4 (2004),  298–301
9. Неравновесные акустические фононы в нанокристаллических керамиках на основе Y$_3$Al$_5$O$_{12}$
   
   Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  421–424
10. Nonlinear-laser effects in $\chi^{(3)}$- and $\chi^{(2)}$-active organic single crystals
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:10 (2003),  1167–1176
11. Особенности генерации второй оптической гармоники в нелинейных кристаллах с разупорядоченной доменной структурой
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:12 (2001),  731–734
12. Первое наблюдение ВКР в тригональном кристалле LiCaAlF₆
    
    Квантовая электроника, 30:12 (2000),  1035–1036
13. Поляризационные магнитооптические эффекты в непрерывном Nd³⁺:Bi₄Ge₃O₁₂-лазере (λ=1.06425 и 1.3418 мкм) с полупроводниковой накачкой
    
    Квантовая электроника, 30:4 (2000),  283–284
14. Новый лютецийсодержащий лазерный кристалл CaLu₂F₈:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 27:2 (1999),  95–97
15. Новые нелинейно-лазерные свойства сегнетоэлектрика Ba₂NaNb₅O₁₅:Nd³⁺: непрерывное стимулированное излучение (⁴F_3/2 → ⁴I_11/2 и ⁴F_3/2 → ⁴I_13/2), коллинеарное и диффузное самоумножение и самосуммирование частоты генерации
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  95–97
16. Первое наблюдение генерации стимулированного излучения и ВКР в кубических ацентрических кристаллах Bi₁₂SiO₂₀:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 26:1 (1999),  6–8
17. Сегнетоэлектрик S_xBa_1–x(NbO₃)₂:Nd³⁺ — новый нелинейно-лазерный кристалл: непрерывное одномикронное стимулированное излучение (⁴F_3/2 → ⁴I_11/2) и диффузное самоумножение частоты генерации
    
    Квантовая электроника, 25:12 (1998),  1059–1061
18. Пикосекундное ВКР высокого порядка в лазерныx кристаллах-матрицах Gd₃Ga₅O₁₂, Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂ и Ca₃(Nb,Ga)₂Ga₃O₁₂ при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 25:11 (1998),  965–967
19. Квазинепрерывный Pr³⁺:LiYF₄-лазер с λ = 0.6395 мкм и средней выходной мощностью 2.3 Вт
    
    Квантовая электроника, 25:3 (1998),  195–196
20. Измерение коэффициента усиления ВКР в лейкосапфире
    
    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  170–174
21. Непрерывная трехмикронная генерация на новом лазерном кристалле BaLu₂F₈:Er³⁺ с полупроводниковой лазерной накачкой
    
    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  99–100
22. Самоудвоение частоты непрерывной одномикронной генерации в лазере с полупроводниковой лазерной накачкой на основе сегнетоэлектрического и сегнетоупругого кристалла β'-Gd₂(MoO₄)₃:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 24:8 (1997),  675–676
23. Наблюдение ВКР в лейкосапфире α-Al₂O₃
    
    Квантовая электроника, 24:7 (1997),  629–630
24. Эффективная многочастотная стоксова и антистоксова комбинационно-параметрическая генерация ромбических кристаллов $\mathrm{Gd}_2(\mathrm{MoO}_4)_3$
    
    Докл. РАН, 348:4 (1996),  475–480
25. Новые проявления нелинейно-оптических взаимодействий в лазерных кристаллах $\mathrm{KY}(\mathrm{WO}_4)_2$ и $\mathrm{KGd}(\mathrm{WO}_4)_2$
    
    Докл. РАН, 346:1 (1996),  33–36
26. Новый лазерный кристалл BaLu₂F₈:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  773–774
27. ГВГ с фазовым согласованием черенковского типа в объемном нелинейном кристалле LaBGeO₅
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  391–392
28. Ромбический молибдат гадолиния — новый нелинейный кристалл для удвоения частоты непрерывного одномикронного лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  389–390
29. Эффективная многоволновая стоксова и антистоксова генерация комбинационно-параметрического лазера на основе тетрагонального кристалла NaLa(MoO₄)₂
    
    Квантовая электроника, 23:3 (1996),  199–201
30. Ромбический кристалл Gd₂(MoO₄)₃ — новый нелинейный лазерный материал для эффективной генерации второй гармоники
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  99–100
31. Новые кристаллические лазеры одномикронного диапазона длин волн
    
    Квантовая электроника, 23:1 (1996),  3–4
32. Новый лазерный потенциал диэлектрических кристаллов с ионами $\mathrm{Nd}^{3+}$
    
    Докл. РАН, 339:2 (1994),  182–185
33. Ленточные и листовые миниатюрные кристаллические лазеры
    
    Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1111–1112
34. Новые возможности неодимсодержащих кристаллов для генерации УФ и видимого стимулированного излучения на интенсивных излучательных переходах с уровней мультиплетов ⁴D_3/2 и ²Р_3/2
    
    Квантовая электроника, 21:8 (1994),  711–712
35. Мощный празеодимовый лазер на основе ромбического кристалла $\mathrm{YAlO}_3$–$\mathrm{Pr}^{3+}$
    
    Докл. РАН, 329:5 (1993),  578–580
36. Новые материалы на основе соединений $\mathrm{LaBGeO}_5$–$\mathrm{Nd}^{3+}$ для твердотельных лазеров с диодно-лазерной накачкой
    
    Докл. РАН, 329:2 (1993),  169–170
37. Новые непрерывные кристаллические лазеры с полупроводниковой лазерной накачкой на основе анизотропных фторидов с ионами $\mathrm{Nd}^{3+}$, выращенных гидротермальным методом
    
    Докл. РАН, 328:2 (1993),  181–183
38. Высокоэффективные одномодовые непрерывные лазеры с диодно-лазерной накачкой на основе неодимсодержащих нелинейных кристаллов с упорядоченной и разупорядоченной структурой и высококонцентрированного граната Y₃Al₅O₁₂:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1081–1083
39. Новые возможности возбуждения генерации стимулированного излучения активированных лазерных кристаллов
    
    Квантовая электроника, 20:6 (1993),  532–534
40. Стимулированное излучение Y₃Al₅O₁₂:Yb³⁺ при 300 К с ламповой накачкой
    
    Квантовая электроника, 20:1 (1993),  5–6
41. Выращивание кристаллов $\mathrm{LiAlO}_3$–$\mathrm{Ti}^{3+}$ и их люминесценция
    
    Докл. РАН, 325:5 (1992),  955–958
42. Анизотропный фторид $\mathrm{LiKYF}_5$–$\mathrm{Nd}^{3+}$ – новый одноцентровый лазерный кристалл
    
    Докл. РАН, 323:3 (1992),  470–474
43. Эффективные одномодовые непрерывные кристаллические лазеры с полупроводниковой лазерной накачкой на основе моноклинных двойных калий-редкоземельных вольфраматов с ионами Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  941–943
44. Новый низкопороговый лазерный кристал LiKYF₅Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 19:3 (1992),  213–215
45. Новый разупорядоченный кристалл Ca₂Ga₂SiO₇:Nd³⁺ для мощных твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  111–113
46. Новые кристаллические лазеры на основе разупорядоченных фторидов с ионами Nd³⁺, накачиваемых излучением полупроводниковых лазеров
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  109–111
47. Новые генерационные возможности празеодимовых кристаллических лазеров
    
    Докл. АН СССР, 319:4 (1991),  870–872
48. Низкопороговая генерация лазерных кристаллов LiYF₄–Рг³⁺ в диапазоне 0,72 мкм с ламповой накачкой при 300 К
    
    Квантовая электроника, 18:8 (1991),  905–906
49. Новый лазерный кристалл для возбуждения стимулированного излучения в темно-красной области спектра при 300 К
    
    Квантовая электроника, 18:5 (1991),  535–536
50. Повышение эффективности темно-красной генерации и получение пикосекундных импульсов в режиме пассивной синхронизации мод лазера на основе кристалла YAlO₃:Pr³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1030–1031
51. Новый низкопороговый лазерный ацентричный кристалл LaBGeO₅–Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  957–958
52. Фоторефрактивный эффект в пьезоэлектрическом кристалле La$_{3}$Ga$_{5}$SiO$_{14}$–Pr$^{3+}$
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  318–320
53. Усиление УФ излучения на межконфигурационном переходе 5d – 4f иона Ce³⁺ в BaY₂F₈
    
    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  513–517
54. LiYF₄: Nd³⁺ – перспективный лазерный материал для пикосекундной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 16:1 (1989),  49–50
55. О законах разупорядочения кристаллического поля $\mathrm{Ln}^{3+}$-ионов в диэлектрических кристаллах
    
    Докл. АН СССР, 300:4 (1988),  849–852
56. Каскадное стимулированное излучение ионов Pr³⁺ и Ho³⁺ во фтор- и кислородсодержащих кристаллах
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  1943–1944
57. Спектроскопия стимулированного излучения ионов $\mathrm{Pr}^{3+}$ в $\mathrm{YAlO}_3$ и $\mathrm{LuAlO}_3$
    
    Докл. АН СССР, 295:3 (1987),  586–589
58. Влияние ковалентности на параметры многофононной безызлучательной релаксации ионов лантаноидов в диэлектрических кристаллах
    
    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3296–3301
59. Упругие, пьезоэлектрические и диэлектрические свойства кристаллов La$_{3}$Ga$_{5.5}$Nb$_{0.5}$O$_{14}$
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1520–1522
60. Люминесценция и многоволновое стимулированное излучение ионов $\mathrm{Ho}^{3+}$ и $\mathrm{Er}^{3+}$ в ромбических кристаллах $\mathrm{YAlO}_3$
    
    Докл. АН СССР, 290:5 (1986),  1103–1107
61. Акустические и электромеханические свойства пьезоэлектрических кристаллов со структурой тригонального $\mathrm{Ca}$-галлогерманата
    
    Докл. АН СССР, 282:3 (1985),  575–578
62. Низкопороговое стимулированное излучение ионов $\mathrm{Nd}^{3+}$ в разупорядоченных кристаллах $\mathrm{SrF}_2$–$\mathrm{ScF}_3$
    
    Докл. АН СССР, 282:1 (1985),  88–90
63. Особенности возбуждения каскадного стимулированного излучения трехвалентных лантаноидов в диэлектрических кристаллах
    
    Докл. АН СССР, 281:4 (1985),  838–841
64. Эффективный оператор вероятности спонтанных электрических дипольных переходов в $f^{N}$-системах с учетом эффектов электронной корреляции
    
    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  549–551
65. Низкопороговое стимулированное излучение ионов $\mathrm{Nd}^{3+}$ в $\mathrm{NaLuGeO}_4$
    
    Докл. АН СССР, 275:3 (1984),  599–602
66. Анализ интенсивности линий люминесценции иона Pr$^{3+}$ с учетом дипольной поляризации среды
    
    Физика твердого тела, 26:6 (1984),  1691–1693
67. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов
    
    УФН, 143:3 (1984),  495–499
68. Видимая генерация на волнах пяти межмультиплетных переходов иона $\mathrm{Pr}^{3+}$ в $\mathrm{LiYF}_4$
    
    Докл. АН СССР, 271:6 (1983),  1357–1359
69. Новый лазерный сегнетоэлектрик $\mathrm{Pb}_5\mathrm{Ge}_3\mathrm{O}_{11}$–$\mathrm{Nd}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 270:6 (1983),  1373–1376
70. Новый канал генерации самоактивированного эрбиевого кристалла $\mathrm{KEr}(\mathrm{WO}_4)_2$
    
    Докл. АН СССР, 268:4 (1983),  856–858
71. Новые квазинепрерывные кристаллические лазеры с пиротехнической накачкой
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1493–1494
72. Каскадная лазерная генерация ионов $\mathrm{Er}^{3+}$ в кристаллах $\mathrm{YAlO}_3$ по схеме $^4S_{3/2}\to^4I_{9/2}\rightsquigarrow^4I_{11/2}\to^4I_{13/2}$
    
    Докл. АН СССР, 267:5 (1982),  1106–1109
73. Трехмикронные лазеры на основе кристаллов $\mathrm{YAlO}_3$ с высокой концентрацией ионов $\mathrm{Ho}^{3+}$ и $\mathrm{Er}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 266:1 (1982),  85–88
74. Генерация стимулированного излучения ионов $\mathrm{Nd}^{3+}$ в тригональном ацентричном кристалле $\mathrm{La}_3\mathrm{Ga}_5\mathrm{SiO}_{14}$
    
    Докл. АН СССР, 264:1 (1982),  93–95
75. Двухмикронное стимулированное излучение кристаллов с ионами $\mathrm{Ho}^{3+}$ на основном переходе $^5I_7\to^5I_8$
    
    Докл. АН СССР, 260:1 (1981),  64–67
76. Кросс-каскадное стимулированное излучение ионов $\mathrm{Er}^{3+}$, $\mathrm{Ho}^{3+}$ и $\mathrm{Tu}^{3+}$ в $\mathrm{Er}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
    
    Докл. АН СССР, 257:1 (1981),  79–82
77. Новые данные по трехмикронной генерации ионов $\mathrm{Ho}^{3+}$ и $\mathrm{Er}^{3+}$ в алюминатах со структурой перовскита
    
    Докл. АН СССР, 254:3 (1980),  604–607
78. О долговечности вязкоупругих тел с трещинами
    
    Докл. АН СССР, 248:4 (1979),  819–821
79. Новая функциональная схема трехмикронных кристаллических лазеров
    
    Докл. АН СССР, 246:1 (1979),  63–65
80. Трехмикронное стимулированное излучение ионов $\mathrm{Ho}^{3+}$ в кристаллах $\mathrm{KY}(\mathrm{WO}_4)_2$ при $300$ K
    
    Докл. АН СССР, 245:3 (1979),  575–576
81. Исследование стимулированного излучения кубических кристаллов $\mathrm{YScO}_3$ с ионами $\mathrm{Nd}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 224:4 (1975),  798–801
82. Расчет температурного уширения бесфононной линии A в полосе люминесценции ⁴F_3/2→⁴I_11/2 иона Nd^{3 +} в иттриево-алюминиевом гранате
    
    Квантовая электроника, 2:2 (1975),  287–293
83. Редкоземельные скандий-алюминиевые гранаты с примесью $\mathrm{TR}^{3+}$ ионов как активные среды для твердотельных ОКГ
    
    Докл. АН СССР, 218:4 (1974),  810–813
84. Стимулированное излучение $\mathrm{TR}^{3+}$ ионов в кристаллах иттербий-алюминиевого граната
    
    Докл. АН СССР, 218:3 (1974),  550–551
85. Исследование стимулированного излучения кристаллов $\mathrm{Lu}_3\mathrm{Ga}_5\mathrm{O}_{12}$ с ионами $\mathrm{Nd}^{3+}$ на переходах $^4F_{3/2}\to^4I_{11/2}$ и $^4F_{3/2}\to^4I_{13/2}$
    
    Докл. АН СССР, 218:2 (1974),  316–319
86. Люминесценция и стимулированное излучение ионов $\mathrm{Yb}^{3+}$ в алюминиевых гранатах
    
    Докл. АН СССР, 216:6 (1974),  1247–1249
87. Спектроскопия стимулированного излучения кристаллов $\mathrm{Gd}_3\mathrm{Ga}_5\mathrm{O}_{12}$ – $\mathrm{Nd}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 216:5 (1974),  1018–1021
88. Стимулированное излучение ионов $\mathrm{Nd}^{3+}$ в кристалле $\mathrm{Sr}\mathrm{Al}_{12}\mathrm{O}_{19}$ на переходах $^4F_{3/2}\to^4I_{11/2}$ и $^4F_{3/2}\to^4I_{13/2}$
    
    Докл. АН СССР, 216:4 (1974),  767–768
89. Исследование стимулированного излучения ионов Nd³⁺ в кристаллах CaSc₂O₄
    
    Квантовая электроника, 1:7 (1974),  1666–1668
90. Исследование стимулированного излучения кристаллов Sr₂Y₅F₁₉ с ионами Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  187–189
91. Лазерные свойства кристалла $\mathrm{Y}_2\mathrm{SiO}_5$ – $\mathrm{Nd}^{3+}$ при излучении на переходах $^4F_{3/2}\to^4I_{11/2}$ и $^4F_{3/2}\to^4I_{13/2}$
    
    Докл. АН СССР, 212:6 (1973),  1326–1327
92. К вопросу поиска активных сред для ОКГ
    
    Докл. АН СССР, 211:4 (1973),  811–813
93. Исследование стимулированного излучения ионов $\mathrm{Nd}^{3+}$ в кристаллах на переходе ${}^4F_{3/2}\to{}^4I_{13/2}$
    
    Докл. АН СССР, 211:3 (1973),  567–570
94. Исследование стимулированного излучения ионов Nd³⁺ в кристаллах на переходе ⁴F_3/2 → ⁴I_13/2. Ч. IV
    
    Квантовая электроника, 1973, № 3(15),  106–108
95. Мощный ОКГ с пиролампой-осветителем на основе Y₃Al₅O₁₂–Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  107–108
96. Лазерные и спектроскопические свойства кристалла $\mathrm{Gd}_2(\mathrm{MoO}_4)_3$ – $\mathrm{Nd}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 197:3 (1971),  557–559
97. Стимулированное излучение кристаллов KY(WO₄)₂ : Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 1971, № 4,  113–116
98. Исследование электрон-фононных процессов в системе кристалл + $\mathrm{Nd}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 195:4 (1970),  827–830
99. Оптические и генерационные свойства смешанных кристаллов $\mathrm{CdF}_2$ – $\mathrm{YF}_3$, активированных ионами $\mathrm{Nd}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 188:5 (1969),  1042–1044
100. Синтез и оптические свойства кристаллов $\mathrm{YAlO}_3$, активированных ионами $\mathrm{Nd}^{3+}$
     
     Докл. АН СССР, 185:5 (1969),  1022–1024
101. Поглощение, люминесценция и индуцированное излучение кристаллов $\mathrm{LiNbO}_3$ – $\mathrm{Nd}^{3+}$
     
     Докл. АН СССР, 183:5 (1968),  1068–1071
102. Поглощение, люминесценция и индуцированное излучение кристаллов $\mathrm{YVO}_4$ – $\mathrm{Nd}^{3+}$
     
     Докл. АН СССР, 180:6 (1968),  1347–1350
103. Оптический квантовый генератор с комбинированной активной средой
     
     Докл. АН СССР, 180:1 (1968),  59–62
104. Непрерывный солнечный оптический квантовый генератор на $\mathrm{Dy}^{2+}$ в $\mathrm{CaF}_2$
     
     Докл. АН СССР, 161:5 (1965),  1063–1064


105. Новая монография по спектроскопии твердого тела
     
     Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2116