RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Морозов Сергей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена

    Письма в ЖЭТФ, 120:11 (2024),  889–894
  2. Корреляционная кулоновская щель при магнитотуннелировании между слоями графена

    Письма в ЖЭТФ, 118:6 (2023),  438–444
  3. Разработка одномодового РОС-гетеролазера с выводом излучения под углом к поверхности структуры

    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  362–368
  4. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры

    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065
  5. Оптимизация гребенчатого волновода лазера на основе HgCdTe гетероструктуры для одномодовой генерации излучения дальнего ИК диапазона

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  855–857
  6. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
  7. Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  465–471
  8. Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ структурах

    Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021),  366–371
  9. Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  238–243
  10. Туннелирование в графен/$h$-$BN$/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов $h$-$BN$ и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена

    Письма в ЖЭТФ, 109:7 (2019),  492–499
  11. Новые эффекты в графене с высокой подвижностью носителей

    УФН, 182:4 (2012),  437–442
  12. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади

    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  39–47
  13. Электронный транспорт в графене

    УФН, 178:7 (2008),  776–780
  14. “Энергетическая квазибаллистика” в микроструктурах с двумерным электронным газом

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  522–524


© МИАН, 2026