RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Болховитянов Юрий Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)

    Физика твердого тела, 61:2 (2019),  284–287
  2. Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки

    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  746–752
  3. Особенности пластической релаксации метастабильного слоя Ge$_x$Si$_{1-x}$, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge

    Физика твердого тела, 56:2 (2014),  247–253
  4. Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs

    Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1903–1909
  5. Краевые дислокации несоответствия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si(001) ($x\sim$ 1): роль промежуточного буферного слоя Ge$_y$Si$_{1-y}$ $(y<x)$ в их образовании

    Физика твердого тела, 53:9 (2011),  1699–1705
  6. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок

    УФН, 178:5 (2008),  459–480
  7. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

    УФН, 171:7 (2001),  689–715
  8. Высокочистый $p$-GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  37–40
  9. Полупрозрачный арсенидгаллиевый фотокатод на стекле с чувствительностью до 1700 мкА/лм

    Письма в ЖТФ, 16:7 (1990),  25–29
  10. Особенности формирования твердой фазы при контактной смене растворов: рост GaAs на поверхности AlGaAs

    ЖТФ, 59:8 (1989),  57–63
  11. Переходные слои в гетероструктурах AlGaAs/GaAs, выращиваемых путем контактной смены растворов

    ЖТФ, 59:3 (1989),  178–185
  12. О природе разделительного слоя AlGaAs на поверхности GaAs при ее изотермическом контакте с жидкой фазой Al$-$Ga$-$As

    ЖТФ, 56:3 (1986),  601–603
  13. Глубокий уровень, вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb

    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1392–1395

© МИАН, 2026