RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Чулков Евгений Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Модификация электронной структуры поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашбы, вызванная присутствием доменных стенок

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1476–1482
  2. Силицидные магнитно-активные блоки лантаноидов с сильным спин-орбитальным взаимодействием для создания магнитных гетероструктур

    Письма в ЖЭТФ, 122:12 (2025),  835–842
  3. Собственный аномальный эффект Холла на поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашба

    Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  393–401
  4. Ab initio исследование термоэлектрических свойств йодидов CH$_3$NН$_3$PbI$_3$, CsSnI$_3$, CH$_3$NH$_3$SnI$_3$

    Физика твердого тела, 65:11 (2023),  1889–1898
  5. Транспортные свойства семейства магнитных топологических изоляторов (MnBi$_2$Te$_4$)(Bi$_2$Te$_3)_m$ $(m = 0,1,...,6)$

    Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  902–907
  6. Связанные состояния короткодействующего дефекта на поверхности собственного антиферромагнитного топологического изолятора в неколлинеарной фазе

    Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  836–845
  7. Температурные исследования спектров комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах MnBi$_2$Te$_4$ и MnSb$_2$Te$_4$

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  361–366
  8. Ванадий-содержащие планарные гетероструктуры на основе топологических изоляторов

    Письма в ЖЭТФ, 117:3 (2023),  235–241
  9. Особенности электронного спектра при переходе из фазы аксионного изолятора в фазу квантового аномального эффекта Холла в тонкой пленке собственного антиферромагнитного топологического изолятора

    Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023),  147–157
  10. Электронная зонная структура и термоэлектрические характеристики SrTiO$_3$, BaTiO$_3$ и CaTiO$_3$: ab initio подход

    Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1891–1899
  11. Возможности моделирования из первых принципов электрон-фононной релаксации и транспортных свойств на примерах оксида кадмия и титаната стронция

    Физика твердого тела, 64:4 (2022),  418–427
  12. Динамическая стабильность субмонослойных структур в системе Li/Cu(111)

    Письма в ЖЭТФ, 116:4 (2022),  253–259
  13. Динамика решетки Bi$_2$Te$_3$ и колебательные моды в рамановском рассеянии топологических изоляторов MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)

    Письма в ЖЭТФ, 115:12 (2022),  801–808
  14. Новый магнитный сверхпроводник стехиометрического состава EuRbFe$_4$As$_4$

    УФН, 192:7 (2022),  790–798
  15. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$

    Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1062–1067
  16. Cтруктура дефектов, электронная зонная структура и фазовый переход полупроводник–металл в кобальтите PrBaCo$_{2}$O$_{5.5}$: ab initio PAW-подход

    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  333–342
  17. Особенности поверхностных состояний собственного антиферромагнитного топологического изолятора с неколлинеарной текстурой доменных стенок

    Письма в ЖЭТФ, 114:11 (2021),  768–776
  18. Структурная релаксация и колебательные свойства поверхности с точечными дефектами

    Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021),  82–88
  19. Формирование магнитного порядка в трехмерных топологических изоляторах для реализации квантового аномального эффекта Холла (Миниобзор)

    Письма в ЖЭТФ, 110:12 (2019),  777–792
  20. Магнитные свойства тримеров тяжелых $p$-элементов IV–VI групп

    Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019),  190–196
  21. Структура и динамическая устойчивость многослойной пленки Na на поверхности Cu (001)

    Письма в ЖЭТФ, 109:9 (2019),  621–626
  22. Универсальное уширение циклотронного поглощения в дираковских полуметаллах

    Письма в ЖЭТФ, 109:5 (2019),  320–324
  23. Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка – топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла

    Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  118–123
  24. Электронные состояния с нетривиальной топологией в дираковских материалах

    Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017),  179–190
  25. Влияние деформации на электронную структуру и топологические свойства соединений $\mathrm{A^{II}Mg_2Bi_2 \: (A^{II}= Mg, Ca, Sr, Ba)}$

    Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017),  491–496
  26. Unconventional pairing in three-dimensional topological insulators with warped surface state

    Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017),  489–490
  27. Магнитное продолжение как эффективный способ получения фазы квантового аномального эффекта Холла в топологических изоляторах

    Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  275–281
  28. Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$

    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  754–762
  29. Квантовый аномальный эффект Холла в гетероструктурах магнитно-модулированный топологический изолятор/нормальный изолятор

    Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016),  480–487
  30. Димеры тяжелых $p$-элементов IV–VI групп: электронные, вибрационные и магнитные свойства

    Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016),  533–538
  31. Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures

    Письма в ЖЭТФ, 102:11 (2015),  864–869
  32. Роль анизотропии и спин-орбитального взаимодействия в оптических и диэлектрических свойствах соединений BiTeI и BiTeCl

    Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015),  563–568
  33. Структура и атомные колебания в биметаллических кластерах Ni$_{13-n}$Al$_{n}$

    Письма в ЖЭТФ, 101:7 (2015),  527–533
  34. Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1598–1604
  35. Ab initio расчеты электрон-фононного взаимодействия и характеристик больших поляронов в рутиле и анатазе

    Физика твердого тела, 56:7 (2014),  1254–1261
  36. Атомная структура и фононы сверхтонкой пленки Pb на поверхности Al(100)

    Письма в ЖЭТФ, 100:4 (2014),  261–266
  37. Динамика процессов электрон-дырочной рекомбинации и захвата носителей в анатазе, легированном бором, углеродом или азотом

    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1697–1705
  38. Engineering near-surface electron states in three-dimensional topological insulators

    Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013),  676–681
  39. Динамика решетки BiTeI при высоких давлениях

    Письма в ЖЭТФ, 98:9 (2013),  626–630
  40. Влияние многочастичных эффектов на ширину энергетической щели в топологических изоляторах $\mathrm{Bi}_2\mathrm{Te}_2X$ ($X=\mathrm{Te}, \mathrm{Se}, \mathrm{S}$)

    Письма в ЖЭТФ, 98:7 (2013),  452–458
  41. Interface induced states at the boundary between a $3D$ topological insulator and a normal insulator

    Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  297–303
  42. Фононы на поверхностях металлов и в адсорбционных структурах

    Усп. хим., 82:6 (2013),  483–510
  43. New topological surface state in layered topological insulators: unoccupied Dirac cone

    Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012),  870–874
  44. Efficient step-mediated intercalation of silver atoms deposited on the Bi$_{2}$Se$_{3}$ surface

    Письма в ЖЭТФ, 96:11 (2012),  799–803
  45. Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности трехмерных топологических изоляторов

    Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012),  528–533
  46. Bound states induced by a ferromagnetic delta-layer inserted into a three-dimensional topological insulator

    Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012),  492–498
  47. Giant Rashba-type spin splitting at polar surfaces of BiTeI

    Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012),  484–491
  48. Природные серосодержащие минералы как топологические изоляторы с широкой запрещенной щелью

    Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012),  352–356
  49. Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$

    Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012),  230–235
  50. Вклад фононов в ширину линии поверхностных состояний на Pd(111)

    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2383–2388
  51. Carrier mediated ferromagnetism on the surface of a topological insulator

    Письма в ЖЭТФ, 94:8 (2011),  672–677
  52. Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$ и Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$

    Письма в ЖЭТФ, 94:3 (2011),  234–239
  53. О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов

    Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011),  110–115
  54. Тройные соединения на основе бинарных топологических изоляторов как эффективный способ модификации конуса Дирака

    Письма в ЖЭТФ, 93:1 (2011),  18–23
  55. Модельный псевдопотенциал для поверхности Cu(110)

    Физика твердого тела, 52:1 (2010),  175–180
  56. О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$

    Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010),  183–188
  57. Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI$_2$) – новый класс трехмерных топологических изоляторов

    Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  664–668
  58. Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах ${\rm A^V_2\rm B^{VI}_3}$

    Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010),  419–423
  59. Фемтосекундная динамика электронов в металлах

    УФН, 179:2 (2009),  113–146
  60. Самосогласованная релятивистская электронная структура соединений A$^{\text I}_{3}$B$^{\text V}$

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  223–231

© МИАН, 2026