RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Хохлов Дмитрий Ремович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Микроволновая фотопроводимость в полуизолирующих твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)

    Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  97–101
  2. Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

    УФН, 194:10 (2024),  1046–1058
  3. $PT$-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  341–345
  4. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
  5. Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости

    Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  548–552
  6. Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  224–228
  7. Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te

    Письма в ЖЭТФ, 112:4 (2020),  263–267
  8. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  896–901
  9. Особенности транспорта в топологической фазе Hg$_{0.87}$Cd$_{0.13}$Te в условиях терагерцового фотовозбуждения

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  873–877
  10. Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1303–1308
  11. Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  824–828
  12. Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  41–45
  13. Особенности терагерцовой фотопроводимости в YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ вблизи температуры сверхпроводящего перехода

    Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018),  810–813
  14. Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  763–767
  15. Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру

    Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017),  156–160
  16. Терагерцовая фотогенерация в PbTe(Ga), индуцированная магнитным полем

    Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016),  64–67
  17. Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)

    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  721–724
  18. Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  467–470
  19. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца

    УФН, 184:10 (2014),  1033–1044
  20. Особенности электронной структуры и фотоэмиссионных спектров органических молекулярных полупроводников: молекулы металл-фталоцианинов и PTCDA

    Письма в ЖЭТФ, 98:1 (2013),  17–22
  21. Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного терагерцового излучения

    Письма в ЖЭТФ, 97:12 (2013),  825–831
  22. Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую фотопроводимость в Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In)

    Письма в ЖЭТФ, 97:9 (2013),  607–610
  23. Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  360–363
  24. Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  293–297
  25. Вибронные состояния в органических полупроводниках на основе безметалльного нафталоцианина, обнаружение гетероцикличных соединений в гибкой диэлектрической матрице

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  103–108
  26. Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1533–1537
  27. Исследование транспортных свойств органических полупроводников на основе дифталоцианиновых и би-трифталоцианиновых комплексов европия с орто-бис(оксиметил)фенильным мостиком, а также на основе комплексов динафталоцианина эрбия и европия

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1514–1519
  28. Особенности спектральных зависимостей пропускания в органических полупроводниках на основе молекул трет-бутилзамещенного дифталоцианина лютеция

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1509–1513
  29. Люминесцентные свойства полупроводниковых композитных систем, состоящих из молекул трифталоцианина эрбия и щелевой кремниевой структуры, в ближней ИК-области

    Письма в ЖЭТФ, 92:10 (2010),  746–750
  30. Частотные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости органических полупроводников на основе бутилзамещенных молекул монофталоцианина эрбия

    Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010),  676–679
  31. Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) в терагерцовой спектральной области

    Письма в ЖЭТФ, 91:1 (2010),  37–39
  32. Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1591–1595
  33. Комбинационное рассеяние света в органических полупроводниках на основе молекул дифталоцианина эрбия и хлорсодержащих молекул трифталоцианина лютеция и европия

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1078–1083
  34. Вибронные свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов с несимметричным распределением электронной плотности

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  795–800
  35. Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия

    Письма в ЖЭТФ, 85:12 (2007),  791–794
  36. Поглощение ИК излучения полярными оптическими фононами в массиве нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и квантовых нитей

    Письма в ЖЭТФ, 84:3 (2006),  152–155
  37. Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов

    УФН, 176:9 (2006),  983–987
  38. Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца

    Письма в ЖЭТФ, 80:2 (2004),  143–149
  39. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца

    УФН, 172:8 (2002),  875–906
  40. Особенности спектров ИК-отражения PbTe(Ga)

    Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2966–2968
  41. Релаксация задержанной фотопроводимости в электрическом поле в сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle\text{In}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1135–1138
  42. Локализация и делокализация в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te $\langle\text{In}\rangle$, индуцированные сверхсильным магнитным полем и ИК подсветкой

    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1034–1040
  43. Характер изменения свойств PbTe$\langle{\text{Ga}}\rangle$ при изменении степени легирования

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  264–269

  44. Ибрагимхан Камилович Камилов (к 90-летию со дня рождения)

    УФН, 195:12 (2025),  1363–1364
  45. Алексей Ремович Хохлов (к 70-летию со дня рождения)

    УФН, 194:2 (2024),  227–228
  46. К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  481
  47. Памяти Бориса Андреевича Волкова

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  285–286

© МИАН, 2026