Торопов Александр Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  646–650
2. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163
3. Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  877–881
4. Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1338–1342
5. Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54
6. Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62
7. Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1326–1330
8. Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  525
9. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
10. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  77–84
11. Квантовые точки AlInAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017),  93–99
12. Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904
13. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
14. Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1451–1455
15. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
    
    Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47
16. Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  230–235
17. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  35–40
18. Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры
    
    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  81–87
19. Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые точки–металлические кластеры, полученных методом МЛЭ
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  245–249
20. Гистерезисные явления в ДЭГ в режиме квантового эффекта Холла, исследованные в транспортном эксперименте
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1458–1466
21. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  684–692
22. Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  313–318
23. Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:1 (2013),  45–48
24. Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  84–89
25. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
    
    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  27–36
26. Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  647–652
27. Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1475–1477
28. Одномодовые лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрного атомного эталона частоты на основе атомов $^{87}$Rb
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1470–1474
29. Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом $p$–$i$–$n$-диоде
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1407–1410
30. Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009),  626–629
31. Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  103–106
32. Неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:1 (2009),  49–53
33. Микроволновое фотосопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:9 (2008),  563–567
34. Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе
    
    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  176–180
35. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007),  553–557
36. Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007),  294–298
37. Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006),  596–600
38. Индуцированные микроволновым излучением гигантские осцилляции магнетосопротивления и состояние с нулевым сопротивлением в двумерной электронной системе со средней величиной подвижности
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:7 (2006),  466–469
39. Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:11 (2006),  596–599
40. Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки
    
    Письма в ЖЭТФ, 83:3 (2006),  152–156
41. Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe
    
    УФН, 176:2 (2006),  222–227
42. Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005),  766–770
43. Температурная зависимость осцилляций Ааронова–Бома в малых квазибаллистических интерферометрах
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005),  762–765
44. Наблюдение соизмеримых осцилляций термоэдс в решетке антиточек
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005),  578–582
45. Осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами в микроволновом поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005),  348–350
46. Мезоскопические флуктуации термоэдс в периодической решетке антиточек
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:4 (2004),  201–205
47. Амплитуда осцилляций Ааронова–Бома в малых баллистических интерферометрах
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004),  168–172
48. Кольцевой интерферометр на основе двумерного электронного газа в двойной квантовой яме
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003),  1048–1052
49. Квазиклассическое отрицательное магнетосопротивление двумерного электронного газа при рассеянии на короткодействующем и дальнодействующем потенциалах
    
    Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003),  165–169
50. Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003),  794–797
51. Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  459–463
52. Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001),  182–185
53. Спектр состояний мелкого донора в сверхрешетках (GaAs)$_{n}$ (InAs)$_{m}$
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1988–1991
54. Циклотронный резонанс в сверхрешетках (GaAs)$_{n}$ (InAs)$_{m}$
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1986–1988
55. Осцилляции Шубникова$-$де-Гааза двумерного электронного газа в двумерном периодическом потенциале
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  539–542