Шкляев Александр Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  320–327
2. Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  58–62
3. Двухканальный электронный транспорт в подвешенных квантовых точечных контактах с боковыми затворами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1344–1349
4. On-chip piezoelectric actuation of nanomechanical resonators containing a two-dimensional electron gas
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  254–255
5. Формирование и исследование $p$–$i$–$n$-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в $i$-области
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1420–1425
6. Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  155–159
7. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011),  500–503
8. Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)
   
   Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011),  477–480
9. Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$
   
   Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011),  740–745
10. Фотолюминесценция в области длин волн 1.5–1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  452–457
11. Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния
    
    УФН, 178:2 (2008),  139–169
12. Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа
    
    УФН, 176:9 (2006),  913–930