RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Пожела Юрас Карлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Термостимулированное излучение в диапазоне 3–15 ТГц на частотах плазмон-фононов в полярных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1597–1601
  2. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  348–352
  3. Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs

    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1214–1218
  4. Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As/Al$_x$In$_{1-x}$As и In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/Al$_x$Ga$_{1-x}$As в сильных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  778–782
  5. Транспорт электронов в квантовой яме In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As с $\delta$-легированным Si барьером в сильных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  928–933
  6. Микроплазменная неустойчивость в переменном электрическом поле

    Докл. АН СССР, 307:1 (1989),  102–104
  7. Численное моделирование микроплазменной неустойчивости

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1606–1612
  8. К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника в неоднородном магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  949–952
  9. Зависимость подвижности электронов в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $n$-типа от их концентрации при 77 K

    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1998–2001
  10. О вольтамперной характеристике кремниевого $p{-}n$-перехода в области микроплазменного пробоя

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  760–761
  11. Насыщение усиления при прямых оптических переходах в валентной зоне германия

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  657–661
  12. Хаотические автоколебания проводимости в неоднородно фотовозбужденном $n$-Ge(Ni)

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1327–1329
  13. Хаотические автоколебания фотопроводимости $n$-Ge(Ni)

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1190–1194
  14. Рецензия на сб. научн. тр. «Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки»

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  580–581
  15. Инверсия населенности дырок и коэффициенты усиления света в германии в $\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$ полях

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1176–1181
  16. Функции распределения горячих дырок в германии в скрещенных E и H полях

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  708–714
  17. Поглощение света горячими дырками в германии в скрещенных E и H полях

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  62–69
  18. Бесстолкновительный сдвиг функции распределения носителей заряда в электрическом поле и излучательные переходы в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1467–1471
  19. Сканирование электромагнитного гауссова пучка в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1129–1130
  20. Геликонный пучок в полупроводниковой плазме

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1056–1058
  21. Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием гетероперехода Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  289–294
  22. Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием сложных полупроводниковых структур

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2070–2072
  23. Гауссовы пучки в магнитоплазме полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1689–1691
  24. Слабо затухающая медленная вихревая электромагнитная волна в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1672–1673
  25. Сдвиг распределений и инверсия населенности легких дырок относительно тяжелых в Ge в скрещенных $\mathbf{E}\perp\mathbf{B}$ полях

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  904–909

  26. Памяти Карла Карловича Ребане

    УФН, 178:4 (2008),  443–444
  27. Памяти Эмануила Айзиковича Канера

    УФН, 151:2 (1987),  377–378

© МИАН, 2026