RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Грехов Игорь Всеволодович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2133–2138
  2. Численное и экспериментальное исследования оптимизированного $p$-SOS-диода

    ЖТФ, 89:3 (2019),  409–415
  3. Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода

    ЖТФ, 88:6 (2018),  955–958
  4. Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой $n$- и $p$-типа)

    ЖТФ, 88:1 (2018),  89–92
  5. Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов

    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  66–73
  6. Численное моделирование наносекундного переключения $p$-SOS-диода

    ЖТФ, 87:12 (2017),  1790–1793
  7. Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока

    ЖТФ, 87:11 (2017),  1682–1686
  8. Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием

    ЖТФ, 87:5 (2017),  793–796
  9. Исследование процесса выключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением

    ЖТФ, 87:1 (2017),  155–158
  10. Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл–диэлектрик–кремний при резонансном туннелировании электронов

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  467–471
  11. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  390–394
  12. Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе $p$-кремния ($p$-SOS)

    ЖТФ, 86:3 (2016),  106–109
  13. Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов

    ЖТФ, 86:2 (2016),  85–88
  14. Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  900–904
  15. Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-$K$-oxide/SiO$_{2}$/Si

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  683–688
  16. Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний

    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  62–69
  17. Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона

    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  87–94
  18. Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах

    ЖТФ, 85:11 (2015),  104–108
  19. Высоковольтные дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе 4H-SiC: теоретическая оценка предельных параметров

    ЖТФ, 85:6 (2015),  111–117
  20. Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1558–1562
  21. Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении

    Письма в ЖТФ, 41:7 (2015),  1–7
  22. Исследование поляризационной зависимости переходного тока в поликристаллических и эпитаксиальных тонких пленках Pb(Zr,Ti)O$_3$

    Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2366–2375
  23. Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния

    Письма в ЖТФ, 40:23 (2014),  67–73
  24. Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными $p$–$n$-переходами

    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  80–87
  25. Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением

    ЖТФ, 83:1 (2013),  105–109
  26. Инжекционно-ионизационный механизм неустойчивости тока при выключении интегрального тиристора с полевым управлением

    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  18–25
  27. Микроскопия сопротивления растекания поликристаллических и монокристаллических сегнетоэлектрических пленок

    Физика твердого тела, 54:5 (2012),  944–946
  28. Эффекты локализации тока в мощных биполярных переключателях с микрозатворами при неидеальной связи управляемых элементов

    ЖТФ, 82:5 (2012),  57–65
  29. Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  544–547
  30. Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  411–415
  31. Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей

    Письма в ЖТФ, 38:11 (2012),  78–87
  32. Высоковольтный быстрый диод с “мягким” восстановлением

    ЖТФ, 81:10 (2011),  50–54
  33. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1427–1430
  34. Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  677–681
  35. Моделирование электрических характеристик туннельных структур металл-диэлектрик-полупроводник сферической формы

    Письма в ЖТФ, 37:21 (2011),  33–40
  36. Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров

    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  17–25
  37. Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием

    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  83–89
  38. Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  105–110
  39. Исследование каскодного режима выключения интегральных тиристоров с внешним полевым управлением

    ЖТФ, 80:1 (2010),  155–158
  40. Динамическая локализация тока при выключении мощных биполярных переключателей с микрозатворами

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1577–1583
  41. Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1135–1139
  42. Об “избыточных” токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  680–683
  43. О возможности увеличения рабочей частоты мощных биполярных переключателей с распределенными микрозатворами

    Письма в ЖТФ, 36:20 (2010),  35–42
  44. Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением

    Письма в ЖТФ, 36:19 (2010),  107–111
  45. Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

    УФН, 175:7 (2005),  735–744
  46. Ударная ионизация в транзисторах с туннельно-тонким МОП-эмиттером

    Письма в ЖТФ, 18:21 (1992),  1–5
  47. Ударная ионизация в кремнии в слабых полях

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  885–892
  48. Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  208–216
  49. Кремниевый Оже-транзистор с туннельным МОП-эмиттером

    Письма в ЖТФ, 17:13 (1991),  44–48
  50. Влияние гидростатического сжатия на рекомбинационные свойства золота в Si

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2203–2205
  51. К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях необеспыленной воздушной среды

    Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  61–65
  52. О возможности генерации стимулированного излучения с помощью ударно-ионизационных волн в полупроводниках

    Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  9–14
  53. Прямая ВАХ диодов, полученных методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  6–9
  54. Ударная ионизация глубокого уровня Au в Si

    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  63–67
  55. Формирование $p{-}n$ переходов методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)

    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  59–63
  56. Толстые пленки в системе Y$-$Ba$-$Cu$-$O на подложках BaF$_{2}$

    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  77–80
  57. Электропроводность пористых стекол с углеродистым наполнителем

    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1856–1859
  58. Эффект быстрого восстановления обратного напряжения на симметричной $p^{+}pnn^{+}$-структуре

    ЖТФ, 58:11 (1988),  2244–2247
  59. Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых $p{-}n$ диодах с примесью лития

    ЖТФ, 58:7 (1988),  1436–1439
  60. О возможности быстрой генерации плотной электронно-дырочной плазмы большого объема в арсениде галлия

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2121–2124
  61. Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ

    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975
  62. Оптимизация частотных и статических характеристик силовых полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной рекомбинации в базовых областях

    ЖТФ, 57:10 (1987),  1925–1929
  63. О возможности изготовления низкоомного нейтронно-легированного кремния на реакторе РБМК-1000

    ЖТФ, 57:6 (1987),  1127–1129
  64. Неоднородное распределение тока по площади мощных кремниевых полупроводниковых приборов большого диаметра, обусловленное собственным магнитным полем

    Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1318–1322
  65. Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах

    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093
  66. О влиянии электродинамических эффектов на однородность коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах большой мощности

    ЖТФ, 56:9 (1986),  1860–1861
  67. Нейтронно-легированный высокоомный кремний (НЛК) Получение, свойства

    ЖТФ, 56:6 (1986),  1174–1179
  68. Мощный прибор ключевого типа — реверсивно-управляемый транзистор (РУТ)

    ЖТФ, 56:2 (1986),  341–345
  69. Быстрые ионизационные волны в полупроводнике, связанные с переизлучением

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1335–1337
  70. Основные электрические характеристики гетеродиодов в системе Si$-$Mg$_{(1-x)}$SiP$_{2(1-x)}$

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  431–434
  71. Инжекционная способность МОП-эмиттера с туннельнотонким слоем окисла при больших плотностях тока

    Письма в ЖТФ, 12:19 (1986),  1209–1212
  72. Сильноточный микросекундный тиристорный коммутатор, переключаемый импульсом света

    ЖТФ, 55:8 (1985),  1570–1575
  73. Влияние гидростатического сжатия на время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии

    Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1288–1293
  74. Полупроводниковые мощные субнаносекундные коммутаторы с большим временем удержания в проводящем состоянии

    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  901–904
  75. Мощный реверсивно включаемый динистор субмегагерцового диапазона

    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  588–591
  76. Нестационарная локализация тепла и тока в прямосмещенном кремниевом диоде

    ЖТФ, 54:9 (1984),  1787–1792
  77. Определение электрофизических параметров сильно легированных слоев в $p^{+}{-}s{-}n^{+}$-структуре

    ЖТФ, 54:8 (1984),  1590–1595
  78. Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов

    ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928
  79. Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского

    ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208
  80. Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  121–125
  81. Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы

    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882
  82. Мощный переключатель микросекундного диапазона — реверсивно-включаемый динистор

    ЖТФ, 53:9 (1983),  1822–1826
  83. О возможности улучшения параметров мощных быстродействующих кремниевых приборов, подвергнутых облучению $\gamma$-квантами Co$^{60}$

    ЖТФ, 53:6 (1983),  1143–1146
  84. Исследование переходного процесса переключения силового диода с накоплением заряда

    ЖТФ, 53:4 (1983),  726–729
  85. Начальная стадия развития волн ударной ионизации в перенапряженных $p{-}n$-переходах

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1380–1385
  86. Рекомбинация через глубокие центры при электронно-дырочном рассеянии в полупроводниках

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1275–1278
  87. Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее импульсном инжекционном возбуждении

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1271–1275
  88. Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1217–1221
  89. Сенсибилизация селективных фотоприемников с помощью твердотельных растворов красителей

    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  695–698
  90. Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения

    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  435–439
  91. Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой тиристор (ИПТ)

    Письма в ЖТФ, 9:1 (1983),  18–21
  92. Лазер на парах меди с поперечным разрядом, коммутируемым полупроводниковыми переключателями со световым управлением

    Квантовая электроника, 10:1 (1983),  186–189
  93. Многоканальный полупроводниковый коммутатор наносекундного диапазона для возбуждения паров меди поперечным разрядом

    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  191–193

  94. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения

    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894
  95. Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)

    УФН, 190:12 (2020),  1343–1344
  96. Андрей Николаевич Лагарьков (к 80-летию со дня рождения)

    УФН, 189:10 (2019),  1129–1130
  97. Памяти Жореса Ивановича Алферова

    УФН, 189:8 (2019),  899–900
  98. Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения)

    УФН, 186:12 (2016),  1381–1382
  99. Андрей Николаевич Лагарьков (к 70-летию со дня рождения)

    УФН, 179:8 (2009),  919–920

© МИАН, 2026