Зайцев-Зотов Сергей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Взаимодействие волн зарядовой плотности в моноклинной фазе NbS$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  412–418
2. Воздействие деформации на проводимость квазиодномерного проводника K$_{0.3}$MoO$_3$ в пайерлсовском состоянии
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  209–214
3. Медленные осцилляции поперечного магнетосопротивления в HoTe$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:2 (2025),  153–159
4. Логарифмическая релаксация фотопроводимости квазиодномерного полупроводника TiS$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:2 (2024),  138–145
5. Ступеньки Шапиро при скольжении волн зарядовой плотности: осцилляции, смешение частот, особенности в больших электрических полях
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:2 (2024),  126–138
6. Плотность заряда и подвижность волн зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике NbS$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023),  158–164
7. Новый политип NbS$_3$, квазиодномерного проводника с высокотемпературной волной зарядовой плотности
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:1 (2021),  36–40
8. Вынужденная диффузия скоррелированных примесей в пайерлсовском проводнике $o$-TaS$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:6 (2020),  367–373
9. Магнетосопротивление квазиодномерного вейлевского полуметалла (TaSe$_4$)$_2$I
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:2 (2020),  93–100
10. Неквадратичное поперечное магнетосопротивление дираковского полуметалла с узловой линией InBi
    
    Письма в ЖЭТФ, 111:1 (2020),  45–49
11. Солитонная фотопроводимость в пайерлсовском проводнике ромбическом TaS$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019),  178–183
12. Новый вид пиннинга волны зарядовой плотности в кристаллах ромбического TaS$_3$ с дефектами закалки
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:1 (2019),  56–61
13. Энергетическая щель в туннельной спектроскопии: влияние сдвига уровня химического потенциала
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:11 (2016),  820–825
14. Effect of surface defects and few-atomic steps on the local density of states of the atomically-clean surface of topological insulator Bi$_2$Se$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:6 (2014),  442–446
15. Высокочастотные, “квантовые” и электромеханические эффекты в квазиодномерных кристаллах с волной зарядовой плотности
    
    УФН, 183:1 (2013),  33–54
16. Нелинейная проводимость NbS$_3$ в металлической фазе высокого давления
    
    Письма в ЖЭТФ, 90:5 (2009),  379–381
17. Зависящая от электрического поля энергетическая структура квазиодномерного проводника $p$-TaS$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:10 (2009),  607–611
18. Переход металл – диэлектрик в нитевидных кристаллах квазиодномерного проводника NbS$_3$ под давлением
    
    Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007),  141–143
19. Эффекты одномерности в квазиодномерных проводниках
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:6 (2004),  503–514
20. Фотопроводимость и управляемые светом коллективные эффекты в пайерслсовском проводнике TaS$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004),  680–685
21. Размерные эффекты в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
    
    УФН, 174:6 (2004),  585–608
22. Unconventional magnetoresistance in long InSb nanowires
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:3 (2003),  162–166
23. Переход к одномерной проводимости при уменьшении толщины кристаллов квазиодномерных проводников TaS$_3$ и NbSe$_3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:1 (2001),  29–32
24. Квазиодномерные проводники с волной зарядовой плотности
    
    УФН, 166:4 (1996),  434–439
25. Низкотемпературная проводимость монокристаллов BaPb$_{1-x}$Bi$_{x}$O$_{3}$ в магнитном поле
    
    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  3203–3204
26. Второе критическое магнитное поле сверхпроводящей керамики BaPb$_{1-x}$Bi$_{x}$O$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  2933–2936
27. Особенности низкотемпературной проводимости сверхпроводящей керамики BaPb$_{1-x}$Bi$_{x}$O$_{3}$, связанные с гранулярностью структуры
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1374–1381
28. Сверхпроводимость пленок BaPb$_{1-x}$Bi$_{x}$O$_{3}$, полученных методом лазерного напыления
    
    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  184–189


29. К 80-летию со дня рождения Владимира Алексеевича Сабликова
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  481