Маненков Александр Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Временное профилирование сверхкоротких лазерных импульсов с использованием объемных брэгговских решеток
   
   Квантовая электроника, 41:6 (2011),  501–503
2. Об электромагнитных резонаторах открытого типа: связь между интерферометрами и резонаторами
   
   Квантовая электроника, 40:3 (2010),  217–218
3. О роли электронного парамагнитного резонанса в становлении и развитии квантовой электроники: факты и коментарии
   
   УФН, 176:6 (2006),  669–673
4. Связь спектральных и генерационных характеристик красителей различных классов
   
   Квантовая электроника, 34:2 (2004),  115–119
5. Проблемы физики взаимодействия мощного лазерного излучения с прозрачными твердыми телами в области сверхкоротких импульсов
   
   Квантовая электроника, 33:7 (2003),  639–644
6. Эффективный твердотельный лазер на основе композита нанопористое стекло–полимер, активированного красителями феналеминового ряда (область генерации 600–660 нм)
   
   Квантовая электроника, 32:8 (2002),  669–674
7. Эффективность различных механизмов лазерного разрушения прозрачных твердых тел
   
   Квантовая электроника, 32:7 (2002),  623–628
8. Механическое разрушение прозрачных твердых тел лазерными импульсами разной длительности
   
   Квантовая электроника, 32:4 (2002),  335–340
9. Композит микропористое стекло — полимер: новый материал для твердотельных лазеров на красителях. II. Лазерные характеристики
   
   Квантовая электроника, 30:12 (2000),  1055–1059
10. Композит микропористое стекло – полимер: новый материал для твердотельных лазеров на красителях. I Свойства материала
    
    Квантовая электроника, 30:11 (2000),  954–958
11. Взаимосвязь характеристик лазерного разрушения в статистической теории
    
    Квантовая электроника, 30:7 (2000),  592–596
12. Закономерности лазерного разрушения прозрачных твердых тел, инициированного поглощающими включениями различных типов
    
    Квантовая электроника, 25:9 (1998),  833–837
13. Термоупругий и абляционный механизмы лазерного повреждения поверхности прозрачных твердых тел
    
    Квантовая электроника, 25:3 (1998),  277–281
14. Формулировка критерия термоупругого лазерного разрушения прозрачных диэлектриков и зависимость порога разрушения от длительности импульса
    
    Квантовая электроника, 24:10 (1997),  944–948
15. Высокоэффективные полимерные лазеры на красителях ксантенового ряда
    
    Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1075–1076
16. Теоретический анализ эффекта накопления в лазерном разрушении прозрачных диэлектриков при многократном облучении
    
    Квантовая электроника, 22:7 (1995),  701–705
17. Роль временных флуктуаций интенсивности лазерного излучения в исследовании статистических закономерностей лазерного разрушения, связанного с поглощающими включениями
    
    Квантовая электроника, 21:11 (1994),  1077–1079
18. Композиционный материал для лазерных элементов на основе полимерного состава и микропористого стекла
    
    Квантовая электроника, 19:11 (1992),  1134–1135
19. YAG:Nd-лазер, работающий в режиме пачек гигантских импульсов, для применения в офтальмологии
    
    Квантовая электроника, 19:10 (1992),  944
20. Генерация коротких наносекундных импульсов в ИАГ: Nd-лазере с модулятором добротности на основе кристалла ГСГГ: Cr, Nd
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1040–1041
21. Тепловой взрыв поглощающих включений как механизм лазерного разрушения поверхности диэлектрика
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  523–527
22. Подавление эффекта накопления в полимерных материалах, модифицированных низкомолекулярными добавками
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2526–2529
23. Теоретический анализ условий теплового взрыва и фотоионизационная неустойчивость прозрачных диэлектриков с поглощающими включениями
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  544–550
24. Низкотемпературная релаксация рассеяния света в кремнии
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  728–733
25. Взаимодействие встречных волн и оптическая бистабильность в нелинейных случайно-неоднородных гетерогенных средах
    
    Квантовая электроника, 14:3 (1987),  586–591
26. К механизму деструкции полимеров под действием УФ- и $\gamma$-излучения: влияние низкомолекулярных добавок, обусловленное колебательной кросс-релаксацией
    
    Докл. АН СССР, 286:1 (1986),  89–92
27. YAG:Nd-лазер с перестройкой длительности импульса в интервале 0,2–10 мс
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1738–1740
28. Лазерное разрушение прозрачных твердых тел
    
    УФН, 148:1 (1986),  179–211
29. Оптическая бистабильность при отражении от нелинейной рассеивающей среды
    
    Докл. АН СССР, 283:1 (1985),  86–89
30. Поглощение лазерного излучения $10{,}6$ мкм в электронно-дырочном конденсате в германии
    
    Докл. АН СССР, 279:1 (1984),  88–90
31. Нелинейное рассеяние излучения $\mathrm{CO}_2$-лазера в кристаллическом порошке
    
    Докл. АН СССР, 278:4 (1984),  852–856
32. Кинетика генерации и усиления излучения YAG:Nd-лазера в режиме периодической модуляции добротности при импульсной накачке
    
    Квантовая электроника, 11:5 (1984),  880–886
33. К механизму эффекта накопления в лазерном разрушении полимеров: возникновение макроразрушения вследствие ионизационной волны поглощения
    
    Квантовая электроника, 11:4 (1984),  839–841
34. Эффекты рассеяния света в неоднородных средах с керровской нелинейностью
    
    Докл. АН СССР, 273:3 (1983),  597–600
35. СВЧ пробой экситонного газа в германии в присутствии больших электронно-дырочных капель
    
    Докл. АН СССР, 269:3 (1983),  596–599
36. О природе эффекта накопления в лазерном разрушении оптических материалов
    
    Квантовая электроника, 10:12 (1983),  2426–2432
37. Статистика лазерного разрушения прозрачных полимеров
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1360–1365
38. Прозрачные полимеры – новый класс оптических материалов для лазеров
    
    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  810–818
39. Влияние вязкоупругих свойств матрицы и типа пластификатора на лазерную прочность прозрачных полимеров
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1318–1322
40. Влияние фононного ветра на конденсацию электронно-дырочных капель в неоднородно деформированном германии
    
    Докл. АН СССР, 259:5 (1981),  1085–1088
41. Отжиг имплантированных слоев кремния излучением импульсного $\mathrm{CO}_2$-лазера
    
    Докл. АН СССР, 257:5 (1981),  1110–1113
42. Анализ механизма лазерного разрушения прозрачных полимеров, связанного с их вязкоупругими свойствами
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  838–843
43. Влияние УФ подсветки на пробой щелочно-галоидных кристаллов излучением CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  155–156
44. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  148–154
45. О проводимости электронно-дырочных капель в германии
    
    Докл. АН СССР, 252:6 (1980),  1376–1378
46. О равновесии в системе свободные носители – свободные экситоны – электронно-дырочные капли в $\mathrm{Ge}$ при $4{,}2$ К
    
    Докл. АН СССР, 250:6 (1980),  1371–1374
47. Стойкость кристаллов $YAG$ и $LiNbO_3$ к излучению $YAG:Er^{3+}$-лазера ($\lambda=2,94$ мкм) в режиме гигантских импульсов
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1351–1353
48. Роль поглощающих дефектов в лазерном разрушении прозрачных полимеров
    
    Квантовая электроника, 7:3 (1980),  616–619
49. Разрушение широкозонных диэлектриков УФ лазерным излучением
    
    Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2415–2419
50. Определяющая роль вязкоупругих свойств полимеров в механизме их лазерного разрушения
    
    Квантовая электроника, 6:9 (1979),  1866–1870
51. Исследование вариаций порогов разрушения в NаСl
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1075–1076
52. Исследование лазерного разрушения кристаллов под действием излучения лазера на CaF₂:Er³⁺ (λ = 2,76 мкм)
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  45–48
53. Воздействие сильных с.в.ч. полей на большие электронно-дырочные капли в германии
    
    Докл. АН СССР, 242:3 (1978),  587–590
54. О механизме лазерного разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородности
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  194–195
55. Импульсный лазер на кристаллах Y₃Al₅O₁₂:Er³⁺ с высокой концентрацией активатора в частотном режиме
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  150–152
56. Определение упругих и упругооптических констант и коэффициентов экстинкции лазерных стекол ЛГС-247-2, ЛГС-250-3, ЛГС-И, КГСС-1621 методом Мандельштам-Бриллюеновского рассеяния
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  142–145
57. Возбуждение неравновесных носителей в германии и кремнии излучением $\mathrm{CO}_2$-лазера
    
    Докл. АН СССР, 232:6 (1977),  1296–1298
58. Корреляция эффективности кооперативной сенсибилизации люминесценции с интенсивностью релеевского рассеяния
    
    Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1661–1665
59. Мандельштам-бриллюэновское и релеевское рассеяние в волоконных световодах: измерение углового распределения интенсивностей рассеяния, потерь на рассеяние и поворота плоскости поляризации
    
    Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1488–1496
60. Предпороговые явления при лазерном разрушении оптических материалов
    
    Квантовая электроника, 3:2 (1976),  438–441
61. Роль поглощающих дефектов в механизме лазерного разрушения реальных прозрачных диэлектриков
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1812–1818
62. Одночастотный рубиновый лазер с пространственно однородным полем излучения и варьируемой длительностью импульса в наносекундном диапазоне
    
    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  604–608
63. Нелинейное рассеяние света на малых частицах
    
    Докл. АН СССР, 190:6 (1970),  1315–1317
64. Применение парамагнитных кристаллов в квантовой электронике
    
    УФН, 77:1 (1962),  61–108
65. Сверхтонкая структура парамагнитного резонанса. Ядерный спин и магнитный момент 5,3-годичного радиоактивного изотопа $\mathrm{Eu}^{152}$
    
    Докл. АН СССР, 112:4 (1957),  623–625


66. Митрофан Федорович Стельмах
    
    Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1179
67. Самофокусировка лазерных пучков: современное состояние и перспективы исследований
    
    УФН, 181:1 (2011),  107–112
68. Памяти Анатолия Николаевича Ораевского
    
    Квантовая электроника, 33:9 (2003),  845–846
69. Александр Михайлович Прохоров (к семидесятипятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  895–896
70. Александр Иванович Барчуков (13.03.1920 г.–10.11.1980 г.) (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  528
71. Поправка к статье: Определение упругих и упруго-оптических констант и коэффициентов экстинкции лазерных стекол ЛГС-247-2, ЛГС-250-3, ЛГС-И, КГСС-1621 методом мандельштам-бриллюэновского рассеяния
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1174
72. Поправка к статье: Мандельштам-бриллюэновское и релеевское рассеяние в волоконных световодах: измерение углового распределения интенсивностей рассеяния, потерь на рассеяние и поворота плоскости поляризации
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1174
73. Александр Михайлович Прохоров (К пятидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 89:3 (1966),  521–525
74. Поправки к статье "Сверхтонкая структура парамагнитного резонанса. Ядерный спин и магнитный момент 5,3-годичного радиоактивного изотопа $\mathrm{Eu}^{152}$" (ДАН, т. 112, № 4, 1957 г.)
    
    Докл. АН СССР, 115:1 (1957),  8