Конов Виталий Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности роста микро- и нанокристаллических алмазных пленок на высокоаспектных подложках с вращением
   
   ЖТФ, 94:12 (2024),  2133–2144
2. Исследование рассеяния интенсивного фемтосекундного излучения при оптическом пробое воды
   
   Квантовая электроника, 53:6 (2023),  458–463
3. Генерация терагерцевого излучения в легированном бором алмазе
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  74–78
4. Лазерная печать алмазных наночастиц с люминесцирующими центрами кремний–вакансия
   
   Компьютерная оптика, 45:6 (2021),  860–864
5. Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  13–16
6. Сравнительное исследование динамики лазерного пробоя воды и гексана с помощью интерференционной микроскопии
   
   Квантовая электроника, 51:2 (2021),  169–174
7. Моделирование фемтосекундной интерферометрии при исследовании воздействия интенсивного лазерного излучения на прозрачную среду
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  175–178
8. Спектр отражения многослойного графена в среднем ИК диапазоне: влияние адсорбата на границе графен – подложка
   
   Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1074–1077
9. Оптические свойства лазерно-модифицированного алмаза: от видимого диапазона до микроволнового
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  672–675
10. Изготовление методом лазерной абляции и исследование кремниевого фокусатора излучения терагерцового диапазона с непрерывным дифракционным микрорельефом
    
    Компьютерная оптика, 42:6 (2018),  941–946
11. Рентгеновское алмазное фокусирующее устройство на базе массива из трехкомпонентных элементов
    
    Компьютерная оптика, 42:6 (2018),  933–940
12. Антиотражающее покрытие элементов силовой алмазной оптики для CO₂-лазеров
    
    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1000–1004
13. Абляция гексагонального нитрида бора при облучении УФ лазерным излучением
    
    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  996–999
14. Влияние поглощающего покрытия на абляцию алмаза лазерными ИК импульсами
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  244–250
15. ВКР-лазер на алмазе с генерацией на длинах волн 1194, 1419 и 597 нм
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  201–205
16. Абляция стали при облучении поверхности тандемными импульсами высокой интенсивности
    
    Квантовая электроника, 48:1 (2018),  40–44
17. Моделирование фокусировки жесткого рентгеновского излучения последовательностью цилиндрических отверстий в алмазной плёнке
    
    Компьютерная оптика, 41:6 (2017),  796–802
18. Лазерно-индуцированная модификация графена в присутствии этанола на границе графен–подложка
    
    Квантовая электроника, 47:11 (2017),  1017–1022
19. Контроль лазерной микро- и нанообработки поверхности алмаза с помощью низкокогерентной интерферометрии
    
    Квантовая электроника, 47:11 (2017),  1012–1016
20. Лазерное структурирование алмазной поверхности в режиме наноабляции
    
    Квантовая электроника, 46:12 (2016),  1154–1158
21. Лазерная наноабляция поверхности алмаза при высоких частотах следования импульсов
    
    Квантовая электроника, 46:10 (2016),  899–902
22. О роли многофотонного поглощения света при импульсной лазерной наноабляции алмаза
    
    Квантовая электроника, 46:2 (2016),  125–127
23. Исследование прочности синтетических алмазов при растягивающих напряжениях, возникающих при пикосекундном лазерном воздействии
    
    Прикл. мех. техн. физ., 56:1 (2015),  171–179
24. Вода на границе графен–подложка: взаимодействие с короткими лазерными импульсами
    
    Квантовая электроника, 45:12 (2015),  1166–1170
25. Углеродная фотоника
    
    Квантовая электроника, 45:11 (2015),  1043–1049
26. Создание линзы Френеля терагерцевого диапазона с многоуровневым микрорельефом методом фемтосекундной лазерной абляции
    
    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  933–936
27. Распространение и поглощение интенсивного фемтосекундного излучения в алмазе
    
    Квантовая электроника, 44:12 (2014),  1099–1103
28. Генерация отрицательных давлений и откольные явления в алмазе под действием пикосекундного лазерного импульса
    
    Квантовая электроника, 44:6 (2014),  530–534
29. Фотонные кристаллы из алмазных сфер со структурой опала
    
    Физика твердого тела, 55:5 (2013),  1035–1038
30. Влияние частоты следования лазерных импульсов на порог оптического пробоя кварцевого стекла
    
    Квантовая электроника, 43:8 (2013),  731–734
31. Лазерный пробой в воздухе при сверхвысоких частотах следования импульсов облучения
    
    Квантовая электроника, 43:4 (2013),  356–360
32. Перколяционная модель перехода диэлектрик–проводник в ультрананокристаллических алмазных пленках
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:7 (2012),  435–439
33. Повышение выходной мощности одиночных лазерных диодов спектральной области 808 нм при использовании алмазных теплоотводящих элементов, полученных методом осаждения из газовой фазы в СВЧ плазме
    
    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  959–960
34. Возбуждение электронной подсистемы кремния с помощью фемтосекундного лазерного облучения
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  925–930
35. Выбор мишени с металлическим покрытием для лазерного переноса ультрадисперсных материалов
    
    Квантовая электроника, 40:11 (2010),  1034–1040
36. Волоконно-оптические диффузные облучатели биотканей
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  746–750
37. Исследование нанотрубочных 3D-композитов, полученных под действием лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 39:4 (2009),  337–341
38. Оптическая спектроскопия лазерной плазмы в глубоком кратере
    
    Квантовая электроника, 39:4 (2009),  328–332
39. Измерение оптического поглощения пластин поликристаллического CVD-алмаза фазовым фототермическим методом на длине волны 10.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1171–1178
40. Исследование плазмы оптического разряда в многокомпонентных смесях молекулярных газов
    
    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  165–168
41. Фотоиндуцированное лазерное травление алмазной поверхности
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  1043–1046
42. Эрбиевый волоконный лазер ультракоротких импульсов с использованием насыщающегося поглотителя на основе одностенных углеродных нанотрубок, синтезированных методом дугового разряда
    
    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  847–852
43. Самосинхронизация мод в эрбиевых волоконных лазерах с насыщающимися поглотителями в виде полимерных плёнок, содержащих синтезированные методом дугового разряда одностенные углеродные нанотрубки
    
    Квантовая электроника, 37:3 (2007),  205–208
44. Динамика формирования и развития фемтосекундной лазерной микроплазмы в газах
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  638–645
45. УФ детекторы на основе поликристаллических алмазных пленок для эксимерных лазеров
    
    Квантовая электроника, 36:6 (2006),  487–488
46. Контроль лазерной обработки поликристаллических алмазных пластин методом низкокогерентной оптической интерферометрии
    
    Квантовая электроника, 35:7 (2005),  622–626
47. Лазерный плазмотрон для бескамерного осаждения алмазных пленок
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  385–389
48. Влияние длительности импульса на графитизацию алмаза в процессе лазерной абляции
    
    Квантовая электроника, 35:3 (2005),  252–256
49. Observation of stimulated Raman scattering in CVD-diamond
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:4 (2004),  298–301
50. Самосинхронизация мод с помощью пассивного затвора на основе одностенных углеродных нанотрубок в лазере на кристалле LIF : F₂^-
    
    Квантовая электроника, 34:9 (2004),  785–786
51. Лазерная микрообработка в газовой среде при высокой частоте повторения аблирующих импульсов
    
    Квантовая электроника, 34:6 (2004),  537–540
52. Динамика формирования и развития плазмы в газах и прозрачных твердых телах в поле высокоинтенсивных остросфокусированных пикосекундных лазерных импульсов
    
    Квантовая электроника, 33:9 (2003),  758–764
53. Лазерно-индуцированные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния света в одностенных углеродных нанотрубках
    
    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  645–650
54. Импульсное лазерное напыление твердого углеродного покрытия при атмосферном давлении
    
    Квантовая электроника, 33:3 (2003),  189–191
55. Влияние нелинейного рассеяния света в воздухе на абляцию материалов фемтосекундными лазерными импульсами
    
    Квантовая электроника, 32:5 (2002),  433–436
56. Активная синхронизация мод пикосекундных лазеров на кристаллах Ti³⁺:Al₂O₃ и Cr⁴⁺:Mg₂SiO₄ при импульсной лазерной накачке длительностью 0.5–5 мкс
    
    Квантовая электроника, 32:2 (2002),  121–123
57. Роль плазмы в абляции материалов ультракороткими лазерными импульсами
    
    Квантовая электроника, 31:5 (2001),  378–382
58. Спектроскопия нестационарной фотопроводимости в поликристаллических алмазных пленках
    
    Квантовая электроника, 30:5 (2000),  459–461
59. Сравнительное исследование абляции материалов фемтосекундными и пико/наносекундными лазерными импульсами
    
    Квантовая электроника, 28:2 (1999),  167–172
60. Лазерный метод определения оптических и теплофизических характеристик алмаза при высоких температурах
    
    Квантовая электроника, 27:3 (1999),  257–261
61. Создание на поверхности алмазных пленок антиотражающих микроструктур методом лазерного рисования
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  158–162
62. Алмазная дифракционная оптика для СО₂-лазеров
    
    Квантовая электроника, 26:1 (1999),  9–10
63. Синтез алмазных пленок с помощью лазерной плазмы
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  291–292
64. Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением
    
    Квантовая электроника, 25:1 (1998),  45–48
65. Лазерный синтез и магнитооптика тонких пленок аморфных магнетиков
    
    Квантовая электроника, 23:4 (1996),  383–384
66. Химическое осаждение пленок нитрида бора из газовой фазы, стимулированное импульсами УФ излучения эксимерного KrF-лазера
    
    Квантовая электроника, 22:7 (1995),  706–710
67. Селективная металлизация алмазов с помощью лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 22:2 (1995),  140–144
68. UV Laser Activation of Alkanes
    
    Mendeleev Commun., 1:1 (1991),  18–19
69. Импульсно-периодическое лазерное травление алмазоподобных углеродных покрытий
    
    Квантовая электроника, 18:10 (1991),  1226–1228
70. Лазерно-индуцированное селективное осаждение алмазных пленок
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1096–1098
71. Светоиндуцированная полировка испаряющейся поверхности
    
    Квантовая электроника, 18:4 (1991),  487–489
72. Формирование электропроводных линий на алмазоподобных углеродных пленках методом лазерного рисования
    
    Письма в ЖТФ, 16:1 (1990),  54–56
73. Роль внешнего фотоэффекта при лазерной микрообработке поверхности
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1032–1034
74. Преобразование импульсного лазерного излучения диапазона 9,3 – 9,6 мкм во вторую гармонику в кристаллах ZnGeP₂
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  476–480
75. Профили толщины пленок, напыляемых из лазерной эрозионной плазмы
    
    ЖТФ, 59:11 (1989),  77–83
76. Отражение излучения XeCl-лазера от алюминиевой мишени в присутствии эрозионной плазмы
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1214–1220
77. Зондовые исследования приповерхностной плазмы, создаваемой цугом наносекундных импульсов CO₂-лазеров
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  821–824
78. Эффективная ГВГ CO₂-лазера в кристалле GaSe
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  757–763
79. Лазер с активными элементами из кристаллов ИСГГ : Cr, Nd и ИСГГ : Cr, Tm, Ho, излучающий на длинах волн 1,06 и 2,088 мкм
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  673–675
80. Взаимодействие лазерного излучения с алмазными пленками
    
    Докл. АН СССР, 303:3 (1988),  598–601
81. Влияние длины волны лазерного излучения на энергетический состав эрозионной плазмы
    
    ЖТФ, 58:5 (1988),  930–935
82. Изменение оптических свойств тонких пленок аморфного кремния при стимулированной УФ лазерным излучением кристаллизации
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  313–316
83. Прохождение интенсивного излучения эксимерных лазеров через кварцевый световод
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  1067–1074
84. Изменение эмиссионных свойств металлических мишеней в процессе импульсно-периодического лазерного облучения
    
    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  422–427
85. Применение металлорезинатных пленок в электронной и фотолитографии
    
    Докл. АН СССР, 294:6 (1987),  1358–1362
86. Лазерное сверление металлов под водой
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1055–1058
87. Импульсно-периодическая эксимерная лазерная система "задающий генератор–регенеративный усилитель"
    
    Письма в ЖТФ, 13:1 (1987),  19–22
88. Оптическая стойкость поверхности селенида цинка при однократном и многократном воздействии излучения импульсного CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1459–1466
89. Импульсно-периодический эксимерный лазер с магнитным звеном сжатия
    
    ЖТФ, 56:7 (1986),  1387–1389
90. Измерение энергетических затрат на образование приповерхностной плазмы при облучении металлических и диэлектрических мишеней импульсами CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 13:3 (1986),  493–498
91. Пороги оптического пробоя воздуха на полированной металлической поверхности для излучения с λ = 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 13:1 (1986),  103–109
92. Импульсно-периодический эксимерный лазер с магнитно-тиристорным генератором питания
    
    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1375–1378
93. Плазмообразование под действием серии наносекундных импульсов $CO_2$-лазера
    
    Письма в ЖТФ, 11:17 (1985),  1034–1039
94. Об использовании ВеО в лазерах среднего ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2350–2353
95. Растворение окалины как причина экстремально высоких значений отражения воспламеняющихся металлов
    
    Докл. АН СССР, 274:6 (1984),  1357–1361
96. Связь оптических свойств окалины с кинетикой ее роста при лазерном воспламенении и горении металла
    
    Докл. АН СССР, 271:5 (1983),  1126–1129
97. Временна́я и пространственная эволюция периодических структур, возникающих на поверхности облучаемых лазером твердых тел
    
    ЖТФ, 53:11 (1983),  2283–2286
98. Пороговые условия плазмообразования при воздействии на твердые мишени импульсного УФ излучения
    
    Квантовая электроника, 10:12 (1983),  2451–2456
99. Зависимость порога образования плазмы пробоя воздуха вблизи медных зеркал от коэффициента поглощения их поверхности на длине волны 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1706–1709
100. Нагрев металлов наносекундными импульсами излучения ХеСl*-лазера с образованием приповерхностной плазмы
     
     Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1466–1469
101. Нагрев теплопроводящих мишеней лазерными импульсами с мощным лидирующим пичком
     
     Квантовая электроника, 10:4 (1983),  780–787
102. Энергетические пороги образования плазмы пробоя воздуха на поверхности твердых мишеней под действием импульсов TEA CO₂-лазера
     
     Квантовая электроника, 10:4 (1983),  774–779
103. Температурная зависимость поглощательной способности алюминиевых мишеней на длине волны 10,6 мкм
     
     Квантовая электроника, 10:2 (1983),  327–331
104. Окисление металлов плазмой низкопорогового пробоя воздуха
     
     Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2546–2551
105. Исследование токов, возникающих при оптическом пробое воздуха вблизи проводящей мишени
     
     Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1532–1539
106. Интерференционные явления при лазерном нагреве металлов в окислительной среде
     
     Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1548–1556
107. Особенности лазерного нагрева окисляющихся металлов в воздухе при наклонном падении излучения
     
     Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2232–2236
108. Горение металлов под действием непрерывного излучения CO₂-лазера
     
     Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1339–1342
109. Компактный импульсно-периодический CO₂-лазер
     
     Квантовая электроника, 6:3 (1979),  597–599
110. Влияние интерференционных эффектов в окисных пленках на динамику нагрева металлов лазерным излучением
     
     Квантовая электроника, 6:3 (1979),  466–472
111. Нагрев металлов излучением импульсного CO₂-лазера
     
     Квантовая электроника, 6:1 (1979),  78–85
112. Исследование поглощательной способности металлических мишеней, облучаемых импульсно-периодическим CO₂-лазером в воздухе
     
     Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1567–1575
113. Лазерный воздушно-реактивный двигатель
     
     Квантовая электроника, 4:12 (1977),  2501–2513
114. Исследование механического действия импульсного излучения CO₂-лазера на твердые мишени в газовой среде
     
     Квантовая электроника, 4:2 (1977),  310–319
115. «Взрывной» механизм давления на твердые мишени, облучаемые импульсным CO₂-лазером
     
     Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1534–1542
116. Бурное поверхностное окисление металлов и сопутствующие явления при воздействии непрерывного излучения CO₂-лазера
     
     Квантовая электроника, 2:8 (1975),  1717–1724
117. Самоподжигание непрерывного оптического разряда в газах вблизи твердых мишеней
     
     Квантовая электроника, 2:5 (1975),  963–966


118. Александр Сергеевич Сигов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 195:6 (2025),  673–674
119. Юрий Николаевич Кульчин (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 193:3 (2023),  341–342
120. К 90-летию О.Н. Крохина
     
     Квантовая электроника, 52:3 (2022),  306
121. Владислав Юрьевич Хомич (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 192:4 (2022),  453–454
122. Олег Николаевич Крохин (к 90-летию со дня рождения)
     
     УФН, 192:3 (2022),  341–342
123. К 80-летию Сергея Николаевича Багаева
     
     Квантовая электроника, 51:10 (2021),  958
124. Памяти Вячеслава Васильевича Осико (28 марта 1932 г. – 15 ноября 2019 г.)
     
     Квантовая электроника, 50:1 (2020),  94
125. Памяти Вячеслава Васильевича Осико
     
     УФН, 190:2 (2020),  223–224
126. Памяти Вячеслава Петровича Макарова (14 февраля 1938 г. – 6 августа 2019 г.)
     
     Квантовая электроника, 49:9 (2019),  894
127. Памяти Виктора Георгиевича Веселаго
     
     УФН, 189:3 (2019),  335–336
128. Памяти Михаила Яковлевича Щелева
     
     Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1066
129. К 100-летию Александра Михайловича Прохорова
     
     Квантовая электроника, 46:7 (2016),  672–674
130. Памяти Фёдора Васильевича Бункина
     
     УФН, 186:7 (2016),  799–800
131. Евгений Михайлович Дианов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 186:1 (2016),  111–112
132. Памяти Александра Алексеевича Маненкова (02.01.1930 – 26.03.2014)
     
     Квантовая электроника, 44:6 (2014),  612
133. К 80-летию А. А. Маненкова
     
     Квантовая электроника, 40:2 (2010),  188
134. Николай Васильевич Карлов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:10 (2009),  1141–1142
135. Федор Васильевич Бункин (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:1 (2009),  109–110
136. Памяти Сергея Ивановича Яковленко
     
     Квантовая электроника, 37:2 (2007),  204
137. А. М. Прохоров — основатель Института общей физики
     
     УФН, 177:6 (2007),  684–689
138. Евгений Михайлович Дианов
     
     Квантовая электроника, 36:1 (2006),  94
139. Памяти Александра Михайловича Прохорова
     
     УФН, 172:7 (2002),  841–842
140. Александр Иванович Барчуков (13.03.1920 г.–10.11.1980 г.) (к семидесятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 17:4 (1990),  528
141. Александр Иванович Барчуков (к шестидесятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 7:2 (1980),  445