Пчеляков Олег Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация толщины слоя In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в трехкаскадном In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P солнечном элементе
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  65–68
2. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
3. Сравнительный анализ спектров характеристических потерь энергии электронов и спектров сечения неупругого рассеяния в Fe
   
   Физика твердого тела, 58:5 (2016),  881–887
4. Исследование дисилицида железа методами электронной спектроскопии
   
   ЖТФ, 86:9 (2016),  136–140
5. Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO$_{2}$/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  344–349
6. Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  435–439
7. Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур Ge$_x$Si$_{1-x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  237–241
8. Новая технология газогетерогенного синтеза наноструктурированных металлических слоев из малоразмерных летучих металлокомплексов
   
   ЖТФ, 81:9 (2011),  113–118
9. Формирование наноструктурированных тонких слоев при их газогетерогенном синтезе из малоразмерных летучих металлокомплексов на поверхности полупроводников и диэлектриков
   
   Письма в ЖТФ, 36:6 (2010),  36–45
10. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок
    
    УФН, 178:5 (2008),  459–480
11. Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:11 (2005),  721–723
12. Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005),  415–418
13. Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi
    
    Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005),  33–36
14. Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001),  521–525
15. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур
    
    УФН, 171:7 (2001),  689–715
16. Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология
    
    УФН, 170:9 (2000),  993–995
17. Фононные спектры напряженных сверхрешеток Si/(Si : Ge) (111)
    
    Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1125–1133
18. Квантование спектра оптических фононов в Si$-$Si$_{0.5}$Ge$_{0.5}$ сверхрешетках
    
    Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1695–1698


19. Игорь Георгиевич Неизвестный (к 80-летию со дня рождения)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  286–287