Забродский Андрей Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Аналитическое описание прыжковой электропроводности компенсированных полупроводников и расчеты на примере $p$-Ge : Ga
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  838–848
2. Обнаружение ферромагнитных свойств Si:P в области фазового перехода изолятор-металл
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:11 (2022),  730–735
3. Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1046–1054
4. Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере $p$-Ge:Ga)
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  738–750
5. Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  302–312
6. Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в $n$-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор–металл
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1339–1345
7. Определение магнитной восприимчивости “плохих” проводников с помощью электронного парамагнитного резонанса
   
   ЖТФ, 83:12 (2013),  103–108
8. Вклад учёных в Великую Победу на примере ЛФТИ
   
   УФН, 183:5 (2013),  518–528
9. Особенности анизотропии микроволнового низкотемпературного магнитосопротивления слабо легированного $p$-Ge, обусловленные наличием в нем легких и тяжелых дырок
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1314–1322
10. Компактный источник тока на основе воздушно-водородных топливных элементов со свободно-дышащими катодами
    
    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  45–54
11. Спин-пайерлсовский переход в хаотической примесной подрешетке полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  735–741
12. Мембранно-электродные блоки с высокой удельной мощностью на основе функционализированных многостенных углеродных нанотрубок
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  98–105
13. Физика, микро- и нанотехнологии портативных топливных элементов
    
    УФН, 176:4 (2006),  444–449
14. Кулоновская щель и фазовый переход металл – изолятор в легированных полупроводниках
    
    УФН, 168:7 (1998),  804–808
15. Прыжковая проводимость ${K=0.3}$-серии образцов Ge : Ga : эффект насыщения, перскоки по ближайшим соседям и переход к прыжкам с переменной длиной
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  431–446
16. О природе СВЧ поглощения в сверхпроводящей керамике YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ в слабых магнитных полях
    
    Физика твердого тела, 31:1 (1989),  294–297
17. Аномальное СВЧ поглощение в магнитонаполненных низкомолекулярных каучуках
    
    Письма в ЖТФ, 15:21 (1989),  59–61
18. Эксперименальное определение холл-фактора в сложной валентной зоне $p$-Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  140–143
19. О влиянии случайного поля на термическую энергию ионизации примесей в слабо легированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2217–2219
20. Влияние уровня легирования и компенсации на энергию активации $\varepsilon_{1}$-проводимости $6H$-SiC : N
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  810–819
21. Определение соотношения между трансмутационными промесями в $Ge$ при легировании его тепловыми нейтронами
    
    Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1295–1299
22. Прыжковая проводимость и переход металл–диэлектрик в полупроводниковых пирополимерах
    
    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3680–3686
23. Парамагнитные и электрические свойства трансмутационной примеси фосфора в 6$H{-}$SiC
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1659–1664
24. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния II.  Гальваномагнитные свойства и неоднородности
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2052–2060
25. Электрофизические свойства нейтронно-легированного сплава Si$-$Ge в области составов со стороны кремния I.  Электрофизические параметры и $\varepsilon_{1}$-проводимость
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2042–2051
26. Кинетика ударной ионизации в трехуровневой системе
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1460–1465
27. Термическая ионизация неэквивалентных состояний азота в $\mathrm{6H}$–$Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  1018–1023
28. Электроперенос в сильно легированном $6H-Si\,C\langle N\rangle$
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  14–18
29. Нейтронное легирование сплава Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ в области составов со стороны кремния
    
    Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  495–498
30. Низкотемпературная проводимость нейтронно легированного ${}^{74}$Ge
    
    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  877–881


31. Специализированный выпуск по материалам V Международной конференции “Физика – наукам о жизни”
    
    ЖТФ, 94:9 (2024),  1421–1422
32. Колонка главного редактора Журнала технической физики
    
    ЖТФ, 94:5 (2024),  685–686
33. Памяти Роберта Арнольдовича Суриса
    
    УФН, 194:6 (2024),  677–678
34. Памяти Вадима Львовича Гуревича
    
    УФН, 192:2 (2022),  229–230
35. К 80-летию Сергея Николаевича Багаева
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  958
36. Евгений Андреевич Виноградов (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 191:10 (2021),  1125–1126
37. Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)
    
    УФН, 190:12 (2020),  1343–1344
38. Памяти Дмитрия Александровича Варшаловича
    
    УФН, 190:7 (2020),  783–784
39. Памяти Вадима Васильевича Афросимова
    
    УФН, 189:8 (2019),  901–902
40. Поздравление Физико-техническому институту им. А.Ф. Иоффе
    
    ЖТФ, 88:11 (2018),  1603–1604
41. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  285–286
42. Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290
43. Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 186:12 (2016),  1381–1382
44. Владислав Борисович Тимофеев (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 186:9 (2016),  1027–1028
45. Памяти Евгения Павловича Мазеца
    
    УФН, 183:11 (2013),  1255–1256
46. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
    
    УФН, 181:1 (2011),  115–116
47. Памяти Карла Карловича Ребане
    
    УФН, 178:4 (2008),  443–444
48. Памяти Бориса Александровича Мамырина
    
    УФН, 177:6 (2007),  693–694
49. Евгений Борисовиоч Александров (к семидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 176:11 (2006),  1237–1238
50. Памяти Бориса Петровича Захарчени
    
    УФН, 176:8 (2006),  907–908
51. XVIII Международная конференция по физике полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  971–973