|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику
УФН, 175:6 (2005), 629–635
-
Долгие времена спиновой памяти электронов в арсениде галлия
Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001), 200–203
-
Ионизация экситона, движущегося перпендикулярно магнитному полю в сверхрешетке GaAs/Al${_x}$Ga$_{1-x}$As
Письма в ЖЭТФ, 74:1 (2001), 34–37
-
Открытие экситонов
УФН, 164:4 (1994), 346–348
-
Оптическое зондирование распределения магнитного поля у поверхности ВТСП
Физика твердого тела, 31:8 (1989), 208–211
-
Оптическая ориентация носителей заряда в полупроводнике в режиме стимулированной люминесценции
Докл. АН СССР, 297:3 (1987), 584–587
-
Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в $\mathrm{Si}$ и $\mathrm{GaAs}$ при пикосекундном возбуждении
Докл. АН СССР, 296:5 (1987), 1098–1100
-
Самодифракция импульса накачки в условиях наведенного поглощения
Физика твердого тела, 29:7 (1987), 1959–1962
-
Топографическая диагностика амплитудно-фазовых искажений импульса накачки в полупроводниках
Письма в ЖТФ, 13:7 (1987), 404–409
-
Образование ячеистых структур на поверхности кремния при пикосекундном световом воздействии
Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1484–1488
-
Влияние спекл-структуры поля
накачки пикосекундного импульса
на величину наведенного поглощения в кремнии
Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1125–1129
-
Генерация мелкомасштабных структур рельефа поверхности кремния при пикосекундном воздействии
Письма в ЖТФ, 12:12 (1986), 710–713
-
Ячеистые структуры рельефа поверхности кремния при плавлении пикосекундном импульсом
Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 220–224
-
Переключение в МОМ-структурах на основе двуокиси ванадия
Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 108–111
-
Открытие экситона — теория и эксперимент
Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1940–1943
-
Голографическая согласованная фильтрация на фтиросе
Письма в ЖТФ, 9:12 (1983), 716–719
-
Инфракрасная голография на ФТИРОСе с использованием CO$_{2}$ лазера
Письма в ЖТФ, 9:2 (1983), 76–78
-
Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках
УФН, 136:3 (1982), 459–499
-
Модуляция добротности резонатора при использовании фазового перехода «металл – полупроводник»
Квантовая электроника, 8:12 (1981), 2693–2695
-
Окисная пленка ванадия как регистрирующая среда для голографии
Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1459–1463
-
Состояния и резонансы оптически ориентированных электронных и ядерных спинов полупроводника
УФН, 126:2 (1978), 340–342
-
Проблема оптической ориентации электронных спинов в полупроводниках
УФН, 114:1 (1974), 155–157
-
Ориентация электронных спинов в полупроводниках
УФН, 105:4 (1971), 772–774
-
Диамагнитные экситоны в полупроводниках
УФН, 97:2 (1969), 193–210
-
Памяти Исаака Михайловича Цидильковского
УФН, 172:7 (2002), 839–840
-
Жорес Иванович Алферов (к 70-летию со дня рождения)
УФН, 170:3 (2000), 349–350
-
Памяти Виктора Яковлевича Френкеля
УФН, 167:8 (1997), 893–894
-
Исаак Михайлович Цидильковский (К семидесятилетию со дня рождения)
УФН, 163:5 (1993), 131–132
-
Памяти Льва Эммануиловича Гуревича
УФН, 161:6 (1991), 207–209
-
Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения)
УФН, 160:3 (1990), 152–155
-
Юрий Моисеевич Каган (к шестидесятилетию со дня рождения)
Физика твердого тела, 30:8 (1988), 2560–2561
-
Владимир Иделевич Перель (К шестидесятилетию со дня рождения)
УФН, 156:3 (1988), 549–550
-
Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения)
УФН, 144:4 (1984), 687–688
-
Памяти Соломона Мееровича Рывкина
УФН, 135:4 (1981), 719–720
-
Евгений Федорович Гросс
УФН, 94:2 (1968), 371–372
© , 2026