Васильев Альберт Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние внутренних потоков в расплаве при росте эпитаксиальных слоев на движущуюся подложку
   
   ЖТФ, 59:1 (1989),  92–97
2. Параметры распределения дивакансий в нейтронно-облученном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1519–1520
3. Особенности отжига дивакансии в кремнии, содержащем разупорядоченные области
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1076–1079
4. Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических воздействиях
   
   Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  253–256
5. Механизм отжига разупорядоченных областей в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1137–1139
6. Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  998–1003
7. Влияние интенсивности облучения быстрыми нейтронами на процессы дефектообразования в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  692–696
8. Фотолюминесцентные исследования InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1217–1222
9. Исследование методом емкостной спектроскопии кремния $n$-типа, легированного магнием
   
   Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  684–687
10. Зависимость скоростей введения дефектных комплексов в кремнии $n$-типа от температуры облучения электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  573–575
11. Смена системы энергетических уровней в запрещенной зоне как фактор, контролирующий скорость реакций между заряженными дефектами в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1132–1134
12. Об уровнях дивакансии в запрещенной зоне кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  737–739
13. Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  561–564
14. О параметрах разупорядоченных областей в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2073–2074
15. Накопление точечных дефектов в кремнии, содержащем трансформированные отжигом разупорядоченные области
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  952–955
16. Сдвиг частоты и уширение спектра пикосекундных световых импульсов при их распространении в полупроводниках
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  34–38
17. Количественные оценки параметров образования основных радиационных дефектов в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2177–2181
18. Неоднородное уширение бесфононной линии примесного центра при различных условиях пластической деформации кристаллов CaF$_{2}$ : Eu
    
    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3012–3018
19. О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования в кремнии $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1663–1666
20. Исследование методом DLTS отжига кремния $n$-типа, облученного нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1155–1157
21. К вопросу о методике обработки спектров DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  162–164
22. Параметры трансформированных отжигом разупорядоченных областей в кремнии $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  30–34