Черняев Антон Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  15–18
2. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
3. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506
4. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
   
   Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54
5. Электрические и магнитные свойства нанонитей Pb и In в асбесте в области сверхпроводящего перехода
   
   Физика твердого тела, 60:10 (2018),  1893–1899
6. Сверхпроводящие свойства (Pb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1060–1063
7. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
8. Проявление размерных эффектов в электрических и магнитных свойствах квазиодномерных нитей олова в асбесте
   
   Физика твердого тела, 58:3 (2016),  443–450
9. Низкотемпературные свойства нанокомпозита пористый кремний–индий
   
   Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  24–30
10. Особенности вольт-амперных характеристик и температурные зависимости электропроводности слоев пористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  61–68
11. Переход сверхпроводник-диэлектрик в $\mathrm{(Pb_zSn_{1-z})_{0.84}In_{0.16}Te}$
    
    Письма в ЖЭТФ, 84:1 (2006),  37–42
12. Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004),  36–40
13. Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  420–424