Макаров Юрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Хемилюминесценция функционализированной поверхности графена
   
   Оптика и спектроскопия, 130:9 (2022),  1417–1422
2. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
3. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
4. Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена
   
   ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139
5. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201
6. Биосенсоры на основе графена
   
   Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  28–35
7. Электрохимическое травление $p$–$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов
   
   Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  80–87
8. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
9. Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  259–264
10. Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  73–80
11. Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  847–851
12. Анализ состава газовой фазы в зоне источника методом УФ поглощения при выращивании GaAs в хлоридной газотранспортной системе
    
    ЖТФ, 60:7 (1990),  143–150
13. Математическое моделирование процессов в проточных газоэпитаксиальных реакторах. II. Управление составом эпитаксиальных слоев AlGaAs в переходных областях
    
    ЖТФ, 60:4 (1990),  37–46
14. Математическое моделирование процессов роста $\mathrm{GaAs}/\mathrm{AlGaAs}$ структур в проточных газоэпитаксиальных реакторах
    
    Матем. моделирование, 2:7 (1990),  62–84
15. Математическое моделирование процессов нестационарного массопереноса в объеме газоэпитаксиального реактора при выращивании структур МОС-гидридным методом
    
    ЖТФ, 59:4 (1989),  149–153
16. Экспериментальное и численное исследование выращивания эпитаксиальных слоев GaAs и твердого раствора AlGaAs в горизонтальном реакторе при пониженном давлении
    
    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  76–79
17. Математическое моделирование процессов в хлоридных газотранспортных реакторах
    
    ЖТФ, 58:6 (1988),  1229–1233
18. Математическое моделирование процессов в проточных газоэпитаксиальных реакторах I.  Газодинамические процессы
    
    ЖТФ, 56:9 (1986),  1700–1708
19. Исследование факторов, определяющих однородность толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе $Ga(CH_{3})_{3}-As\,H_{3}-H_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  506–509
20. Численное моделирование гипозвуковых течений вязкого газа
    
    Докл. АН СССР, 280:4 (1985),  827–830
21. Численное моделирование роста пленок $Ga\,As$ в проточных газоэпитаксиальных реакторах
    
    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  794–799
22. Газодинамические процессы при импульсном тепловыделении в существенно дозвуковом потоке вязкого газа
    
    ЖТФ, 54:4 (1984),  846–848