Васильев А Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние мощности СВЧ сигнала на управляемость сегнетоэлектрического фазовращателя
   
   ЖТФ, 81:10 (2011),  55–59
2. Устойчивость анизотропного параболоида вращения с заполнителем
   
   Исслед. по теор. пластин и оболочек, 20 (1990),  123–133
3. Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  33–38
4. Электрические неустойчивости структуры и свойств аморфных оксидов металлов
   
   ЖТФ, 58:8 (1988),  1597–1600
5. Упругие свойства теллуридов свинца–олова при низких температурах
   
   ЖТФ, 58:2 (1988),  421–424
6. О влиянии примеси внедрения на люминесцентные свойства имплантированного фосфида индия после лазерного отжига
   
   Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  176–181
7. Температурные зависимости скорости ультразвука в Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  944–946
8. Упругие свойства $Cd_{0.21}\,Hg_{0.79}\,Te$ в температурном интервале 4–250 K
   
   Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  682–686
9. О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1217–1222
10. Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1115–1119
11. Размножение электронных возбуждений в кристаллах MgO
    
    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2696–2702
12. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
13. Комбинационное рассеяние света в кристаллах арсенида галлия, подвергнутых воздействию субнаносекундных лазерных импульсов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  252–256
14. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
15. Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  368–371
16. Фотоакустический эффект в полупроводниках в переменном электрическом поле
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1954–1957
17. Фотоакустический эффект в полупроводниках конечных размеров
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1751–1758
18. Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1281–1286
19. Определение оптимальных условий электромагнитного возбуждения звука в олове
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1631–1635