RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Яковленко Сергей Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. О возможности накачки Xe2*-лазеров и ламп ВУФ диапазона в послесвечении волны размножения электронов фона

    Квантовая электроника, 36:12 (2006),  1176–1180
  2. Получение высокообогащенного изотопа 176Yb в весовых количествах методом лазерного разделения изотопов в атомном паре

    Квантовая электроника, 36:1 (2006),  84–89
  3. Об убегании электронов и генерации мощных субнаносекундных пучков в плотных газах

    УФН, 176:7 (2006),  793–796
  4. Комментарий к заметке Г. Г. Петраша "О моделировании лазера на парах меди с добавками водорода"

    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  578–580
  5. О механизме остановки оптического разряда в области сужения оболочки волоконного световода

    Квантовая электроника, 35:5 (2005),  422–424
  6. О причинах сильного фотопоглощения в волоконном световоде при большой температуре

    Квантовая электроника, 34:9 (2004),  787–789
  7. Плазма за фронтом волны разрушения и природа возникновения цепочки каверн под действием лазерного излучения в волоконном световоде

    Квантовая электроника, 34:8 (2004),  765–770
  8. Расчет скорости и порога тепловой волны поглощения лазерного излучения в волоконном световоде

    Квантовая электроника, 34:8 (2004),  761–764
  9. Характерное время вытягивания ионов из плазменного сгустка при лазерном разделении изотопов

    Квантовая электроника, 34:6 (2004),  589–595
  10. Механизм убегания электронов в плотных газах и формирование мощных субнаносекундных электронных пучков

    УФН, 174:9 (2004),  953–971
  11. Коэффициент Таунсенда и убегание электронов в электроотрицательном газе

    Письма в ЖЭТФ, 78:11 (2003),  1223–1227
  12. Получение мощных электронных пучков в плотных газах

    Письма в ЖЭТФ, 77:11 (2003),  737–742
  13. О механизме убегания электронов в газе. Верхняя ветвь кривой зажигания самостоятельного разряда

    Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003),  264–269
  14. Формирование микроскопических цветных оксидных точек на поверхности титановой фольги при воздействии лазерного излучения

    Квантовая электроника, 33:12 (2003),  1101–1106
  15. Теоретический анализ механизмов влияния добавок водорода на генерационные характеристики лазера на парах меди

    Квантовая электроника, 33:12 (2003),  1047–1058
  16. О лазерном разделении редких изотопов

    Квантовая электроника, 33:7 (2003),  581–592
  17. Изотопически-селективная фотоионизация палладия

    Квантовая электроника, 33:6 (2003),  553–558
  18. Импульсные лазеры на плазме, создаваемой электронными пучками и разрядами

    Квантовая электроника, 33:2 (2003),  117–128
  19. Двухступенчатая фотоионизация палладия

    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  619–622
  20. Об использовании эффекта Зеемана для повышения селективности лазерного разделения изотопов

    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  614–618
  21. Критические предымпульсные плотности электронов и метастабилей в лазерах на парах меди

    Квантовая электроника, 32:2 (2002),  172–178
  22. Об аномальном замедлении релаксации в ультрахолодной плазме

    Письма в ЖЭТФ, 73:2 (2001),  71–73
  23. Релаксация ридберговских состояний в ультрахолодной лазерной плазме

    Квантовая электроника, 31:12 (2001),  1084–1088
  24. Метастабильная лазерная плазма

    Квантовая электроника, 31:7 (2001),  587–592
  25. О замедлении рекомбинации в ультрахолодной лазерной плазме

    Квантовая электроника, 30:12 (2000),  1077–1079
  26. О возможности получения генерации на ионных молекулах Ne+Ar при накачке инертных газов жестким ионизатором

    Квантовая электроника, 30:8 (2000),  681–686
  27. Анализ возможности генерации на третьем континууме в аргоне

    Квантовая электроника, 30:7 (2000),  567–572
  28. Критическая плотность электронов при ограничении частоты следования импульсов в лазере на парах меди

    Квантовая электроника, 30:6 (2000),  501–505
  29. Основные физические проблемы лазерного выделения весовых количеств редкого изотопа иттербия

    Квантовая электроника, 25:11 (1998),  971–987
  30. Моделирование ступенчатой селективной фотоионизации в трехмерном резонаторе

    Квантовая электроника, 25:8 (1998),  764–768
  31. Роль спектрального контраста лазерного излучения при выделении иттербия-168 в весовых количествах

    Квантовая электроника, 25:3 (1998),  287–288
  32. Лазеры на димерах и галогенидах инертных газов

    Квантовая электроника, 24:12 (1997),  1145–1153
  33. Прохождение лазерной плазмы низкой плотности через прозрачные сетки

    Квантовая электроника, 24:10 (1997),  939–943
  34. Использование резонатора в качестве многопроходной системы при лазерном разделении изотопов

    Квантовая электроника, 24:8 (1997),  759–762
  35. Влияние примесей инертных газов на излучение третьих континуумов

    Квантовая электроника, 24:8 (1997),  697–703
  36. Лазеры с ядерной накачкой и физические проблемы создания реактора-лазера

    Квантовая электроника, 24:5 (1997),  387–414
  37. Свободный разлет лазерной плазмы низкой плотности

    Квантовая электроника, 23:11 (1996),  1020–1024
  38. Многоступенчатая фотоионизация иттербия

    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  860–864
  39. Лазерное выделение высокообогащенного иттербия-168 в весовых количествах

    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  771–772
  40. Кинетическая модель N2 — Н2-лазера на переходе 3s → 2p литийподобного иона азота

    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  423–427
  41. Исследование XeF-лазера с накачкой гамма-излучением ядерного взрыва

    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  420–422
  42. Эффективное излучение смеси He — Xe— NF3, накачиваемой тлеющим разрядом

    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  417–419
  43. Характеристики эксиплексной KrCl-лампы, накачиваемой объемным разрядом

    Квантовая электроника, 23:4 (1996),  344–348
  44. О предельном КПД пеннинговского плазменного лазера на неоне

    Квантовая электроника, 23:4 (1996),  299–302
  45. Кинетическая модель He–Ne–Ar–H2-лазера с накачкой жестким ионизирующим излучением

    Квантовая электроника, 22:8 (1995),  769–775
  46. Расчет пороговых характеристик Ne–Xe–NF3-лазера с ядерной накачкой

    Квантовая электроника, 22:6 (1995),  547–550
  47. Комментарий к статье А.М. Игнатова, А.И. Коротченко, В.П. Макарова, А.А. Рухадзе, А.А. Самохина "Об интерпретации вычислительного эксперимента с классической кулоновской плазмой"

    УФН, 165:1 (1995),  117–118
  48. Однократные столкновения в атомном пучке

    Матем. моделирование, 6:9 (1994),  13–25
  49. Об одной возможности выявления метастабильности переохлажденной плазмы

    Квантовая электроника, 21:3 (1994),  253–260
  50. Метастабилъная переохлажденная плазма

    УФН, 164:3 (1994),  297–307
  51. О роли засоряющих столкновений при экстракции ионов редкого изотопа из атомного пучка

    Докл. РАН, 329:6 (1993),  729–730
  52. Кулоновский взрыв лазерной плазмы

    Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1117–1120
  53. Кинетика активных сред лазеров высокого давления на парах металлов

    Квантовая электроника, 20:7 (1993),  631–651
  54. Пространственные характеристики излучения эксиплексных ламп

    Квантовая электроника, 20:6 (1993),  613–615
  55. Мощные ИК лазеры на переходах атома Хе I

    Квантовая электроника, 20:6 (1993),  535–558
  56. О причинах замедления рекомбинации в плазменном пузыре, полученном при облучении мишени импульсом XeCl-лазера

    Квантовая электроника, 20:2 (1993),  111–112
  57. Широкополосные континуумы в инертных газах и их смесях с галогенидами

    Квантовая электроника, 20:1 (1993),  7–30
  58. Неожиданные свойства классической кулоновской плазмы, обнаруженные на основе моделирования из первопринципов

    Матем. моделирование, 4:7 (1992),  3–30
  59. Об аномальном ВУФ излучении криогенной плазмы в смеси криптона с ксеноном

    Квантовая электроника, 19:12 (1992),  1172–1175
  60. Образование долгоживущего плазменного пузыря при облучении металлической мишени имульсом XeCl-лазера

    Квантовая электроника, 19:9 (1992),  919–920
  61. Кинетическая модель ArF-лазера

    Квантовая электроника, 19:5 (1992),  486–491
  62. О возможности моделирования шаровой молнии с помощью лазера

    Квантовая электроника, 19:1 (1992),  5–6
  63. Релаксация энергоизолированной кулоновской плазмы при стохастизирующем воздействии

    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  33–37
  64. Исследование широкополосного излучения в инертных газах

    Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1419–1423
  65. Динамика угловых и спектральных характеристик излучения эксимерных лазеров

    Квантовая электроника, 18:6 (1991),  684–688
  66. Влияние на обрывы тока расстояния между электродами, давления и сорта газа

    ЖТФ, 60:10 (1990),  42–47
  67. Пучковый He$-$Zn лазер на ${\lambda=610}$ нм с пеннинговской и электронной столкновительной очисткой

    Письма в ЖТФ, 16:15 (1990),  52–55
  68. Инверсная населенность на новых переходах атома неона в видимой области спектра

    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1283–1284
  69. Расчет коэффициентов усиления в лазерной плазме CVI при разлете цилиндра и цилиндрического слоя

    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1050–1053
  70. Расчет усиления на переходе 4–3 иона Al XIII в разлетающейся лазерной плазме цилиндрической геометрии при ультракоротких импульсах накачки

    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1006–1007
  71. Многоволновая генерация в смеси Аг–Хе, накачиваемой электронным пучком

    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  985–988
  72. Формирование усиленного спонтанного излучения в разлетающейся лазерной плазме с учетом рефракции

    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  753–755
  73. Накачиваемая излучением сильноточного разряда бериллиевая плазма как активная среда на λ = 117,0 нм

    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  718–720
  74. Лазерно-стимулированное взаимодействие электроотрицательного газа с поверхностью

    Квантовая электроника, 17:5 (1990),  652–653
  75. Спектры резонансных линий Н-подобных ионов в оптически плотной плазме

    Квантовая электроника, 17:3 (1990),  340–344
  76. Излучение резонансных линий и инверсия населенностей на уровнях водородоподобных ионов в рекомбинирующей лазерной плазме

    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  232–236
  77. Расчет энергетических характеристик широкоапертурных эксиплексных лазеров

    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  147–149
  78. Переохлажденная неидеальная плазма

    Докл. АН СССР, 309:5 (1989),  1100–1103
  79. Не–Cd-лазер высокого давления, накачиваемый наносекундным электронным пучком

    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2039–2046
  80. Кинетическая модель пеннинговского Ne-лазера на пучковой He–Ne–Ar и Ne–H2-плазме

    Квантовая электроника, 16:8 (1989),  1579–1586
  81. Кинетика населенностей и спектральный коэффициент усиления для релятивистского водородоподобного иона

    Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1364–1370
  82. Кинетика рекомбинационно-неравновесной He–H2-плазмы в разряде пучкового типа

    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1184–1189
  83. Анализ характеристик излучения широкоапертурных эксиплексных лазерных систем на основе трехмерного уравнения переноса

    Квантовая электроника, 16:5 (1989),  923–931
  84. Плазменный Ar-лазер (344,3 нм) со столкновительной очисткой нижнего рабочего уровня молекулами азота

    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  647–648
  85. Плазменный Ne–H2-лазер на СВЧ разряде

    Квантовая электроника, 16:3 (1989),  486–488
  86. Кинетическая модель активной среды XeCl-лазера с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 16:2 (1989),  278–280
  87. Термодинамические параметры и распределения мгновенных значений микрополей в неидеальной плазме

    Докл. АН СССР, 299:1 (1988),  106–109
  88. Термодинамические параметры и дебаевское экранирование в кулоновском газе с малым числом частиц в дебаевской сфере

    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  354–359
  89. He$-$Cd-лазер с $\lambda=442$, 534, 538 нм, накачиваемый наносекундным электронным пучком

    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  18–21
  90. Роль реабсорбции в экспериментах по наблюдению усиления в разлетающейся лазерной плазме

    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  412–421
  91. Пеннинговский плазменный лазер на неоне с накачкой малогабаритным ускорителем

    Квантовая электроника, 15:1 (1988),  108–111
  92. Эффект задержки послесвечения реабсорбированной линии $\mathrm{H}_\alpha$ в разлетающейся лазерной плазме

    Докл. АН СССР, 294:3 (1987),  588–591
  93. О переохлаждении плазмы многозарядных ионов на фронте ионизующего импульса

    ЖТФ, 57:2 (1987),  367–370
  94. Пеннинговский плазменный лазер на новых переходах атома гелия в видимой области спектра

    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2197–2200
  95. О влиянии добавок SF6 на эффективность генерации ксенонового ИК лазера

    Квантовая электроника, 14:2 (1987),  427–428
  96. Усиление спонтанного излучения без резонатора при рекомбинационной накачке

    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  55–61
  97. Полосовое излучение инертных газов, накачиваемых электронным пучком

    ЖТФ, 56:11 (1986),  2240–2244
  98. Наблюдение генерации на переходе $4f-5g$ ($\lambda=253$ нм) иона $Be$ 1У в рекомбинирующей лазерной плазме

    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  613–617
  99. Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»

    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2531–2533
  100. Эксиплексный KrF-лазер, накачиваемый ионным пучком

    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2191–2202
  101. Моделирование активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида аргона

    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1828–1836
  102. Мощный лазер с активным объемом 270 л на ИК переходах ксенона

    Квантовая электроника, 13:4 (1986),  878–880
  103. Скачок заселенностей ионных уровней на фронте ударной волны в рекомбинирующей плазме

    ЖТФ, 55:2 (1985),  379–382
  104. Мощный $Ne-H_2$-лазер с накачкой от малогабаритного промышленного ускорителя

    Квантовая электроника, 12:10 (1985),  1993–1994
  105. Исследование характеристик активной среды эксиплексного лазера на основе гидрида гелия

    Квантовая электроника, 12:8 (1985),  1557–1566
  106. Повышение эффективности пучкового Хе-лазера с помощью молекулярных добавок

    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  874–876
  107. Плазменный лазер на длине волны 585,3 нм с пеннинговской очисткой на плотных смесях с неоном, возбуждаемых электронным пучком

    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  245–246
  108. Спектр поглощения слабого сигнала атомом в сильном поле

    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  126–134
  109. Исследование пространственно-временно́й структуры свечения лазерной плазмы, соударяющейся с плоским экраном

    ЖТФ, 54:10 (1984),  1915–1922
  110. Модуляция излучения в активной среде при СВЧ-модулированной накачке

    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1609–1617
  111. Влияние структуры фронта ударной волны на характер свечения рекомбинирующей лазерной плазмы

    Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1332–1337
  112. Излучение смесей инертных газов с водородом при возбуждении электронным пучком

    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1277–1280
  113. Коэффициенты усиления и ослабления света в свободно распадающейся плазме водородоподобных ионов

    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  49–58
  114. Наблюдение генерации на переходах BeII в рекомбинирующей плазме, создаваемой рубиновым лазером

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1067–1071
  115. О влиянии препятствий на излучение и динамику разлета лазерной плазмы

    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  673–679
  116. Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме

    Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1286–1288
  117. Наблюдение стимулированного излучения на переходах He II при накачке протонным пучком

    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1063–1065
  118. Сужение мощного светового импульса в среде с оптико-столкновительной нелинейностью

    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  912–918
  119. Стимулированное излучение на переходах Be ll в рекомбинирующей лазерной плазме

    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  901–903
  120. Об инверсии литиеподобных ионов относительно состояния 2p в рекомбинирующей плазме

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1856–1858
  121. Поглощение мощного резонансного излучения при столкновительном уширении линии

    УФН, 136:4 (1982),  593–620
  122. Анализ формирования активной среды плазменного лазера на λ = 15,5 нм с помощью CO2-лазера

    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2136–2144
  123. О перспективах усиления света далекого УФ диапазона (обзор)

    Квантовая электроника, 8:8 (1981),  1621–1649
  124. Требования к накачке рентгеновского лазера ионизирующим источником

    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1606–1607
  125. Режим самопрокачки в плазменном лазере

    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  256–262
  126. Активные среды эксиплексных лазеров (обзор)

    Квантовая электроника, 7:4 (1980),  677–719
  127. Анализ возможности ВУФ генерации на димере гелия при накачке электронным пучком

    Квантовая электроника, 6:4 (1979),  701–713
  128. О прямом преобразовании солнечной энергии в лазерное излучение

    Квантовая электроника, 5:9 (1978),  1982–1989
  129. Лазерно-индуцированные радиационные столкновения (обзор)

    Квантовая электроника, 5:2 (1978),  259–289
  130. Анализ возможности усиления ВУФ-излучения в плазме гелия

    УФН, 126:4 (1978),  699–700
  131. О возможности усиления света в рекомбинирующей плазме фторида таллия

    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1368–1369
  132. Об усилении резонансного излучения атома таллия

    Квантовая электроника, 3:1 (1976),  208–210
  133. Расчет параметров активной среды для плазменного лазера на электронном пучке

    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  657–665
  134. Об усилении рентгеновского излучения в распадающейся плазме на переходе гелиеподобного иона

    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2061–2062
  135. Об импульсном плазменном лазере на разлетных молекулах

    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1273–1275
  136. О рекомбинации плотной плазмы натрия

    ТВТ, 12:5 (1974),  964–969
  137. Усиление в рекомбинирующей плазме (плазменные лазеры)

    УФН, 114:3 (1974),  457–485
  138. Об отклонениях от термодинамического равновесия при рекомбинации разлетающейся плазмы

    Прикл. мех. техн. физ., 14:5 (1973),  3–10
  139. Плазменный лазер на электронных переходах молекул

    Докл. АН СССР, 207:5 (1972),  1085–1087

  140. Поправка к статье: О замедлении рекомбинации в ультрахолодной лазерной плазме

    Квантовая электроника, 31:2 (2001),  188
  141. IV Международная конференция по импульсным лазерам на переходах атомов и молекул (AMPL‘99)

    Квантовая электроника, 30:6 (2000),  509–513
  142. Памяти Льва Иосифовича Гудзенко

    УФН, 127:1 (1979),  175–176

© МИАН, 2026