Рыжов Виктор Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Экспериментальное и численное исследования двух механизмов формирования пучков убегающих электронов
   
   ЖТФ, 82:7 (2012),  102–106
2. Экспериментальное исследование распада сжатого состояния электронного пучка
   
   Письма в ЖТФ, 37:3 (2011),  68–76
3. Влияние эмиссионной способности катода на формирование пучка убегающих электронов в газонаполненном диоде с неоднородным электрическим полем
   
   Письма в ЖТФ, 37:2 (2011),  46–52
4. Лазер на смеси SF₆ — H₂ с накачкой радиально сходящимся пучком электронов
   
   Квантовая электроника, 24:9 (1997),  781–785
5. XeCl-лазер с энергией генерации 200 Дж
   
   Квантовая электроника, 24:8 (1997),  688–690
6. Аппроксимация унимодальных распределений функциями системы Пирсона
   
   Матем. моделирование, 8:7 (1996),  74–80
7. Моделирование процессов в He$-$Cd смеси при ионной и электронной накачках
   
   ЖТФ, 62:3 (1992),  18–23
8. Предельный выход СЖР-излучения электронов в многопроходовых режимах
   
   Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  1–5
9. "Атомное" тормозное излучение многозарядных ионов – источник накачки коротковолнового оже-лазера
   
   Квантовая электроника, 19:1 (1992),  29–31
10. 108.9 нм Xe Оже-лазер с накачкой «атомным» тормозным излучением пучка протонов
    
    Письма в ЖТФ, 17:12 (1991),  47–50
11. Предельные значения выхода СЖР излучения при торможении электронов
    
    Письма в ЖТФ, 17:12 (1991),  17–21
12. Влияние состава смеси на характеристики мощного XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 17:3 (1990),  300–303
13. Генерация в ксеноне при накачке радиально сходящимся пучком электронов
    
    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  17–19
14. Влияние магнитного поля на угловое распределение электронов
    
    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  76–79
15. Возможность получения имплантированных слоев большой толщины
    
    Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1303–1306
16. Влияние магнитного поля на распределение энергии в рабочем объеме газового лазера, возбуждаемого электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  991–993
17. Исследование характеристик генерации XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком микросекундной длительности
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  953–956
18. Восстановление динамики кристаллизации имплантированных образцов при импульсном тепловом воздействии
    
    ЖТФ, 56:3 (1986),  619–621
19. Динамика импульсного электронного отжига легированных полупроводников
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1385–1386
20. Эффективность эксимерных лазеров на молекулах галогенидов благородных газов, возбуждаемых электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 6:9 (1979),  2024–2028