RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Комаров Фадей Фадеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Широкополосное антиотражающее композитное покрытие: влияние импульсной лазерной обработки на оптические свойства

    Оптика и спектроскопия, 132:6 (2024),  668–674
  2. Слои кремния, гиперпересыщенные теллуром, для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов

    ЖТФ, 91:12 (2021),  2026–2037
  3. Влияние методов формирования полимерных композитных материалов с углеродными нанотрубками на механизмы электропроводности

    ЖТФ, 91:3 (2021),  475–483
  4. Резистивное переключение в структурах ITO/SiN$_{x}$/Si

    ЖТФ, 91:1 (2021),  139–144
  5. Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном

    Оптика и спектроскопия, 129:8 (2021),  1037–1047
  6. Наносекундное воздействие интенсивного лазерного излучения на тонкие плёнки TiAlN

    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  144–150
  7. Люминесценция пленок нитрида кремния, имплантированных азотом

    Вестник Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева. Серия Физика. Астрономия, 122:1 (2018),  68–73
  8. Нано- и микроструктурирование твёрдых тел быстрыми тяжёлыми ионами

    УФН, 187:5 (2017),  465–504
  9. Влияние облучения ионами гелия на структуру, фазовую стабильность и микротвердость наноструктурированных покрытий TiN, TiAlN, TiAlYN

    ЖТФ, 86:5 (2016),  57–63
  10. Радиационная стойкость высокоэнтропийных наноструктурированных покрытий (Ti, Hf, Zr, V, Nb)N

    ЖТФ, 85:10 (2015),  105–110
  11. Влияние режимов термообработки на структуру и оптические свойства кристаллического кремния с нанокристаллами GaSb, сформированными высокодозной ионной имплантацией

    ЖТФ, 85:9 (2015),  91–96
  12. Процессы формирования нанокластеров InAs в кремнии методом высокодозной ионной имплантации: результаты эксперимента и моделирования

    ЖТФ, 85:9 (2015),  77–85
  13. Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS, подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэВ

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  599–602
  14. Исследование влияния параметров осаждения на структуру и физико-химические свойства защитных покрытий из Al$_2$O$_3$

    ЖТФ, 83:11 (2013),  142–145
  15. Адгезионная прочность и сверхтвердость, фазовый и элементный состав наноструктурных покрытий, сформированных на основе Ti–Hf–Si–N

    Физика твердого тела, 54:9 (2012),  1764–1771
  16. Влияние массопереноса и сегрегации на формирование сверхтвердых наноструктурных покрытий Ti–Hf–N(Fe)

    Письма в ЖТФ, 38:13 (2012),  57–64
  17. Ослабление электромагнитного излучения СВЧ-диапазона бумагой из углеродных нанотрубок

    ЖТФ, 81:11 (2011),  140–145
  18. Микро- и нанокомпозитные защитные покрытия на основе Ti–Al–N/Ni–Cr–B–Si–Fe, их структура и свойства

    ЖТФ, 81:7 (2011),  124–131
  19. Стехиометрия, фазовый состав и свойства сверхтвердых наноструктурных пленок Ti–Hf–Si–N, полученные с помощью вакуумно-дугового источника в высокочастотном разряде

    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  90–97
  20. Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий

    УФН, 173:12 (2003),  1287–1318
  21. Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

    УФН, 173:8 (2003),  813–846
  22. Моделирование диффузии примесей при термическом отжиге системы поликремний-кремний

    Матем. моделирование, 9:5 (1997),  68–76
  23. Излучательные потери в тонкопленочных гамма-волноводах

    ЖТФ, 62:8 (1992),  110–116
  24. О механизме ионно-индуцированной кристаллизации в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1841–1844
  25. Исследование пропускания многослойных тонкопленочных рентгеноводов

    Письма в ЖТФ, 17:13 (1991),  82–86
  26. Гамма-волновод

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  45–49
  27. Флуктуации зарядового состояния ионов: возможная причина увеличения дисперсии пробегов при высокоэнергетичной ионной имплантации

    Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  69–72
  28. Модель каналирования ионов бора при высокоэнергетичном ионном легировании кристаллов кремния

    Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  4–8
  29. Использование многослойных структур в качестве мишеней для генерации коллимированного пучка рентгеновских квантов

    Письма в ЖТФ, 16:15 (1990),  43–47
  30. О возможности построения источника рентгеновского излучения на основе эффекта полного внешнего отражения

    Письма в ЖТФ, 16:1 (1990),  57–61
  31. Формирование скрытого слоя $\beta$-Si$_{3}$N$_{4}$ при высокоинтенсивном ионном облучении (ВИО) кремния

    ЖТФ, 59:1 (1989),  200–202
  32. Высокоэнергетичная ионная имплантация

    ЖТФ, 58:3 (1988),  559–566
  33. Образование двойников и гексагональной модификации в кремнии при облучении интенсивными пучками ионов Аr$^{+}$

    ЖТФ, 58:3 (1988),  548–551
  34. К вопросу об излучении при каналировании электронов с энергией 16.9, 30.5, 54.5 МэВ в алмазе

    ЖТФ, 58:1 (1988),  195–197
  35. Экспериментальное исследование спектров рентгеновского излучения при каналировании быстрых электронов в кремнии

    Докл. АН СССР, 294:2 (1987),  339–342
  36. Фазовые превращения в слоях ниобия при имплантации ионов азота и сверхпроводящие свойства системы Nb$-$N

    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1660–1664
  37. Остаточные дефекты в кремнии при имплантации ионов As$^{+}$ в самоотжиговом режиме

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1863–1867
  38. Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  920–922
  39. Прожекторный эффект в излучении Кумахова

    Докл. АН СССР, 289:3 (1986),  603–605
  40. Определение оптимального режима разработки неоднородного по толщине участка нефтяного месторождения

    Исслед. по подземн. гидромех., 8 (1986),  84–91
  41. Отжиг дефектов и электрическая активация примеси в процессе высокоинтенсивного ионного легирования кремния

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1726–1728
  42. Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  149–152
  43. « Прожекторный» эффект в излучении Кумахова

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2230–2232
  44. Уширение линий спонтанного излучения при плосткостном каналировании электронов

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2184–2190
  45. Кристаллизация и эффект отжига макродефектов в процессе высокоинтенсивной ионной имплантации полупроводниковых кристаллов

    Письма в ЖТФ, 11:18 (1985),  1110–1113
  46. Возможность флуктуационного образования аморфной фазы в процессе ионного легирования металлов

    ЖТФ, 54:9 (1984),  1836–1837
  47. Сечения ионизации внутренних электронов в модели релятивистских бинарных столкновений

    ЖТФ, 54:8 (1984),  1465–1471
  48. Аномалия в температурной зависимости излучения Кумахова при аксиальном каналировании электронов

    Докл. АН СССР, 272:2 (1983),  346–349
  49. О методе определения электронных плотностей в кристаллах по выходу $\delta$-электронов

    Докл. АН СССР, 263:5 (1982),  1123–1125

© МИАН, 2026