Винокуров Дмитрий Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131
2. Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  23–31
3. Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1082–1086
4. Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1078–1081
5. Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  9–14
6. Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  3–8
7. Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1344–1348
8. Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1339–1343
9. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
10. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233
11. Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750
12. Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  252–257
13. Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1431–1438
14. Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1417–1421
15. Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1274–1278
16. Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  488–499
17. InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1640–1644
18. Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1140–1146
19. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
20. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693
21. Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  251–255
22. Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  246–250
23. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  194–199
24. Особенности синхронизации мод в лазерах с квантовой ямой в широком волноводном слое
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  29–36
25. Исследование пространственно-инвариантных пучков, полученных от полупроводниковых лазеров с широким полоском с торцевым выводом излучения
    
    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  22–30


26. Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2054–2057
27. Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049