Яфясов Адиль Маликович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  202–204
2. Resonance scattering across the superlattice barrier and the dimensional quantization
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016),  816–834
3. A distinguished mathematical physicist Boris S. Pavlov
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 7:5 (2016),  782–788
4. Электрофизические свойства многослойной структуры SiC–Si
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  814–817
5. Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  327–333
6. Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур
   
   ЖТФ, 83:6 (2013),  71–77
7. Квантовый самосогласованный расчет дифференциальной емкости полупроводниковой пленки
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1169–1174
8. Логический элемент NOT в двумерном электронном волноводе
   
   ЖТФ, 81:9 (2011),  12–15
9. Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 2:4 (2011),  32–50
10. Электрофизические свойства структур диэлектрик–полупроводник на основе германия с диэлектрическим слоем полинуклеотидов и их мономерных компонент на поверхности
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1617–1620
11. Resonance one-body scattering on a junction
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 1:1 (2010),  108–147
12. Дифференциальная емкость полупроводниковой пленки
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1336–1340
13. Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  590–593
14. Исследование параметров зонной структуры приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdHg)Te и HgTe методом эффекта поля в электролитах
    
    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  636–643
15. Электрофизические свойства слоистой структуры на основе (CdHg)Te в системе полупроводник$-$электролит
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1339–1343
16. Исследование скоростей заполнения квантовых подзон ОПЗ узкощелевых полупроводников (CdHg)Te
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  748–750
17. Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых полупроводников Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом эффекта поля в электролите
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  156–159
18. Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te
    
    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  875–878
19. Эффект поля на бесщелевом полупроводнике
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1144–1147
20. Исследование плотности электронных состояний в разрешенных зонах на поверхности (CdHg)Te
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  633–637
21. Определение плотности состояний в разрешенных зонах антимонида индия и сульфида свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  954–957
22. Характеристики межфазовой границы Si$-$SiO$_{2}$ и поверхностная подвижность дырок в инверсионном слое
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  393–397
23. Вырождение и непараболичность зон в измерениях поверхностных эффектов на полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  818–823