Голубев Лев Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на нескольких подложках
   
   ЖТФ, 61:3 (1991),  74–79
2. Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1948–1954
3. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  342–344
4. Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом
   
   Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209
5. Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  949–952
6. Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом
   
   Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1264–1267
7. Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия
   
   Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  188–191
8. Плотность дислокаций и параметры $p{-}n$ структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   ЖТФ, 55:11 (1985),  2280–2282
9. Равновесная электрожидкостная эпитаксия $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$
   
   Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  230–233
10. Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  224–226
11. Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
    
    ЖТФ, 54:11 (1984),  2233–2237
12. Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной эпитаксии
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2011–2015
13. К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной эпитаксии
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1394–1399
14. Методы теории токовых состояний в сверхпроводящих контактах при температурах, близких к критической
    
    ТМФ, 59:1 (1984),  129–138
15. К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  545–549
16. Электрожидкостная эпитаксия InAs
    
    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  961–964
17. Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  662–666
18. Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)
    
    Письма в ЖТФ, 9:3 (1983),  155–158