Говорков А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1153–1163
2. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  450–456
3. Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  456–460
4. Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1792–1795
5. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1203–1207
6. Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ
   
   Письма в ЖТФ, 13:7 (1987),  385–388
7. Влияние термообработки на люминесцентные и электрофизические параметры приповерхностных слоев монокристаллических пластин арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1588–1593
8. Парастатистика и калибровочные симметрии
   
   ТМФ, 53:2 (1982),  283–295