RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Данилов Юрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига

    Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1686–1698
  2. Гальваномагнитные свойства слоев GaMnAs, полученных ионной имплантацией: роль энергии ионов Mn$^+$

    Физика твердого тела, 66:6 (2024),  871–876
  3. Ферромагнитные слои GaMnAs, полученные имплантацией ионов марганца с последующим импульсным лазерным отжигом

    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2230–2238
  4. Создание ферромагнитного полупроводника GaMnAs комбинированным лазерным методом

    Физика твердого тела, 65:5 (2023),  754–761
  5. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур

    Физика твердого тела, 65:4 (2023),  669–675
  6. Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  399–405
  7. Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления

    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  11–14
  8. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt

    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1304–1310
  9. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
  10. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости

    Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
  11. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем

    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
  12. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt

    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
  13. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643
  14. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41
  15. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As

    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
  16. Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур

    Оптика и спектроскопия, 128:3 (2020),  399–406
  17. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
  18. Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1139–1144
  19. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
  20. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
  21. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb

    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
  22. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения

    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
  23. О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом

    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  465–471
  24. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
  25. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
  26. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
  27. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2137–2140
  28. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением

    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  940–946
  29. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
  30. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
  31. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2200–2202
  32. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
  33. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
  34. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом

    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
  35. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции

    ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
  36. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства

    ЖТФ, 87:9 (2017),  1389–1394
  37. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
  38. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом

    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2140–2144
  39. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1561–1564
  40. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
  41. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
  42. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207
  43. Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости

    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  63–71
  44. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
  45. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1478–1483
  46. Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  102–106
  47. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией

    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
  48. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом

    ЖТФ, 84:12 (2014),  102–106
  49. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs

    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  96–103
  50. Фотоотражение структур GaAs с дельта $\langle$Mn$\rangle$-легированным слоем

    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  56–63
  51. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1554–1560
  52. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531
  53. Магнитоуправляемый светодиод с $S$-образной вольт-амперной характеристикой

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  87–94
  54. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb

    Письма в ЖТФ, 38:16 (2012),  69–77
  55. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией

    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  57–65
  56. Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA 

    Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010),  312–317
  57. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1494–1497
  58. Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ и Ni

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1447–1450
  59. Температурная стабильность фотолюминесценции в гетероструктурах с InGaAs/GaAs квантовой ямой и акцепторным дельта $\langle$Mn$\rangle$-слоем в GaAs барьере

    Письма в ЖТФ, 36:17 (2010),  87–95
  60. Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем

    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  46–53
  61. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации

    Письма в ЖТФ, 36:4 (2010),  81–87
  62. Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме

    Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009),  730–735
  63. Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$

    Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008),  192–198
  64. Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок

    Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007),  32–39
  65. Ферромагнетизм в эпитаксиальных слоях германия и кремния, пересыщенных примесями марганца и железа

    Письма в ЖЭТФ, 83:12 (2006),  664–667
  66. Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  189–191
  67. Морфологические и структурные изменения $\mathrm{InSb}$ при ионной бомбардировке

    Докл. АН СССР, 248:5 (1979),  1111–1114

© МИАН, 2026