RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Фетисова Наталья Вячеславовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
  2. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821
  3. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693
  4. Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  251–255
  5. Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  246–250


© МИАН, 2026