Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 833–836
-
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 817–821
-
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 688–693
-
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 251–255
-
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом
Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 246–250
© , 2026