RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Hytch M
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
Физика и техника полупроводников
,
44
:10 (2010),
1382–1386
Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
Физика и техника полупроводников
,
44
:7 (2010),
955–961
Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
Физика и техника полупроводников
,
44
:6 (2010),
857–863
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
Физика и техника полупроводников
,
44
:1 (2010),
96–100
©
МИАН
, 2026