Хоменкова Л Ю

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование границы раздела слой–подложка в структурах Si–SiO$_2$–$p$-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс
   
   Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1224–1228
2. Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  82–86