Семенов Т В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1427–1430