Николаев Д Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Буферные структуры GaAs/Si, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  48–52
2. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
3. Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  703–708
4. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1234–1238
5. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1230–1233
6. Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1417–1421
7. Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1274–1278
8. InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1640–1644
9. Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  246–250