Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Зарядовая спектроскопия слоев SiO$_2$ с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 591–595
-
Исследование границы раздела слой–подложка в структурах Si–SiO$_2$–$p$-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс
Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010), 1224–1228
-
Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO$_2$ и Si
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 550–555
-
Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO$_2$: структурные, оптические, электронные свойства
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 501–506
© , 2026