|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S: создание и свойства
Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1084–1089
-
Четверные твердые растворы (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и фоточувствительные структуры на их основе
Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 941–946
-
Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn$_5$Te$_8$: создание и свойства
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 617–621
-
Поверхностно-барьерные структуры на монокристаллах четырехкомпонентных твердых растворов CdMgMnTe: создание и свойства
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 468–473
-
Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/$p$-Ag$_3$AsS$_3$
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1059–1063
-
Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 372–376
-
Фоточувствительность гетеропереходов $n$-CdS/$p$-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 335–337
-
Обнаружение твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и создание фоточувствительных структур на их основе
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 48–52
-
Выращивание монокристаллов (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и свойства фоточувствительных структур на их основе
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 39–43
© , 2026