Кузнецов М В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
2. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
3. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648
4. Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  402–408