Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011), 274–279
-
Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN
Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010), 1615–1623
-
Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 955–961
-
Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 837–840
-
Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
Письма в ЖТФ, 36:22 (2010), 89–95
© , 2026