Жданович Н Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Технологические особенности электронного облучения Si $p^+$–$n$–$n^+$-диодов при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1549–1552
2. Особенности технологического облучения электронами кремниевых $p$–$n$-структур большой площади
   
   Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  26–34
3. Влияние электронного облучения, ослабленного алюминиевыми экранами, на электрические параметры кремниевых $p$–$n$-структур
   
   Письма в ЖТФ, 36:10 (2010),  45–51