RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Шпаковский Сергей Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Накопление и релаксация зарядов в приборных структурах Al/Si$_3$N$_4$/SiO$_2$/$n$-Si в активном режиме

    ЖТФ, 95:11 (2025),  2221–2228
  2. Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов

    ЖТФ, 80:10 (2010),  74–82
  3. Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  397–401


© МИАН, 2026