RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Шпаковский Сергей Васильевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Накопление и релаксация зарядов в приборных структурах Al/Si
$_3$
N
$_4$
/SiO
$_2$
/
$n$
-Si в активном режиме
ЖТФ
,
95
:11 (2025),
2221–2228
Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов
ЖТФ
,
80
:10 (2010),
74–82
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами
Физика и техника полупроводников
,
44
:3 (2010),
397–401
©
МИАН
, 2026